[发明专利]化学液体供应装置和具有其的半导体处理装置

说明书

提供了一种化学液体供应装置和半导体处理装置。在半导体制造工艺期间向处理室供应化学液体的化学液体供应装置可以包括：化学液体供应管，化学液体在其中流动，并且化学液体供应管的通过其喷射化学液体的喷射端延伸到处理室中；设置在化学液体供应管外部的外部电极；以及配置为向外部电极施加电力的供电模块。

技术领域

与示例实施方式一致的装置涉及化学液体供应装置和具有其的半导体处理装置。

背景技术

化学液体供应装置是将半导体制造工艺中所需的各种化学液体供应到半导体处理装置的处理室中的装置。例如，在清洁工艺中，化学液体供应装置将化学液体供应到基板的表面上以去除吸附到基板表面的各种污染物或者不是污染物但是在进行清洁时可能会有相当大的影响其它材料，诸如沉积层材料。清洁工艺是制造半导体的必要工艺。在半导体制造工艺中残留在基板表面上的污染物，诸如颗粒、有机污染物和金属性污染物，会影响半导体器件的特性和产量。可以在半导体制造工艺的处理的每个单元之前或之后执行清洁工艺。

常规地，化学液体供应装置通过连接到储存容器的供应管将储存在储存容器中的化学液体供应到处理室中。经过管的化学液体可能由于与设置在供应管的内周表面或化学液体的流动路径上的各种部分的摩擦而引起静电现象。由化学液体引起的静电现象可能由于静电引力而将颗粒吸附到基板的表面上，从而降低半导体工艺的产量。另外，带电化学液体的喷射可以对基板施加直接电冲击。另一方面，当在管内采取直接措施以控制化学液体的静电水平时，可能存在诸如与化学液体反应的问题。

发明内容

本发明构思的示例实施方式涉及提供化学液体供应装置和具有其的半导体处理装置，在化学液体供应装置中，在化学液体供应管中流动的化学液体的静电水平可在外部控制。

根据示例实施方式，本公开涉及一种化学液体供应装置，向其中进行半导体制造工艺的处理室供应化学液体，该化学液体供应装置包括：化学液体供应管，化学液体在其中流动，化学液体供应管包括化学液体通过其喷射的喷射端，喷射端被配置为延伸到处理室中；外部电极，邻近化学液体供应管的外周表面设置；以及供电模块，配置为向外部电极施加电力。

根据示例实施方式，本公开涉及一种化学液体供应装置，包括：化学液体供应管，由电绝缘材料构成并且配置为允许化学液体流动；以及外部电极，配置为在化学液体供应管外部产生电场，其中由外部电极产生的电场被施加到化学液体，以减少由所述化学液体与化学液体供应管的内周表面之间的摩擦引起的静电。

根据示例实施方式，本公开涉及一种半导体处理装置，包括：处理室，包括腔室壳和旋转卡盘，该腔室壳具有拥有开口上部和内部空间的盒形状，该旋转卡盘具有从腔室壳的底表面突出的旋转轴以及连接到旋转轴并拥有其上安装半导体基板的上表面的旋转板；配置为储存化学液体的化学液体储存罐；连接到化学液体储存罐的化学液体供应泵；连接到化学液体供应泵的化学液体供应管，化学液体在化学液体供应管中流动，化学液体供应管包括化学液体通过其喷射的喷射端，该喷射端被配置为延伸以设置在处理室的旋转板上方；外部电极，邻近化学液体供应管的外周表面设置从而邻近喷射端；以及供电模块，配置为向外部电极施加电力。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的化学液体供应装置和包括其的半导体处理装置的示意性构造图。

图2A是示出图1的化学液体供应管和外部电极的局部垂直截面图。

图2B是沿图2A的线A-A截取的水平截面图。

图3是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的化学液体供应管和外部电极的局部水平截面图。

图4A是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的化学液体供应管和外部电极的局部垂直截面图。

图4B是沿图4A的线B-B截取的水平截面图。