[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的半导体柱；

在所述衬底上形成源掺杂层，所述源掺杂层包围所述半导体柱的部分侧壁；

形成包围所述源掺杂层露出的半导体柱部分侧壁的栅极结构，所述栅极结构露出所述半导体柱的顶部；

在所述半导体柱的顶部形成漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤中，所述半导体柱的侧壁上形成有保护层，所述保护层露出所述半导体柱靠近所述衬底一侧的部分侧壁；

形成所述源掺杂层的步骤中，所述源掺杂层包围所述保护层露出的半导体柱的侧壁；

形成所述源掺杂层后，形成所述栅极结构之前，还包括：去除所述保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤包括：形成初始基底，所述初始基底包括初始衬底和凸出于所述初始衬底的顶部半导体柱；

在所述顶部半导体柱的侧壁上形成所述保护层；

刻蚀所述保护层露出的部分厚度所述初始衬底，形成所述衬底、以及位于所述衬底和顶部半导体柱之间的底部半导体柱，所述底部半导体柱和顶部半导体柱用于构成所述半导体柱。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成源掺杂层后，形成包围所述源掺杂层露出的半导体柱部分侧壁的栅极结构之前，还包括：在所述半导体柱露出的所述源掺杂层上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述半导体柱的部分侧壁。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤中，所述半导体柱的顶部上形成有半导体柱掩膜层，所述半导体柱掩膜层的材料与所述保护层的材料相同；

去除所述保护层的步骤中，去除所述半导体柱掩膜层。

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为3纳米至8纳米。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述初始衬底和顶部半导体柱的保护膜；沿垂直于所述初始衬底表面的方向刻蚀所述保护膜，保留位于所述顶部半导体柱侧壁上的剩余所述保护膜作为所述保护层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述保护膜。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述保护膜。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮氧化硅。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺去除所述保护层。

12.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述保护层露出的部分厚度所述初始衬底。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源掺杂层的厚度为5纳米至15纳米。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用外延工艺形成外延层，且在形成所述外延层的过程中原位自掺杂离子形成所述源掺杂层。