[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区；

在所述衬底上依次形成第一掩膜层、第一核心层和第二掩膜层；

刻蚀所述第二掩膜层和所述第一核心层至露出所述第一掩膜层，形成分立排列的鳍部间隔图形；

在所述器件稀疏区的所述第一掩膜层上形成第一牺牲层，且所述第一牺牲层覆盖所述鳍部间隔图形；

以所述第一牺牲层为掩膜，刻蚀所述器件密集区的所述第一核心层，减小所述鳍部间隔图形中所述第一核心层的宽度；

在所述器件密集区的所述第一掩膜层上形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层覆盖所述鳍部间隔图形；

刻蚀所述第一牺牲层和所述第二牺牲层至露出全部所述第二掩膜层；

去除所述第二掩膜层后，去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，剩余的第一核心层分立排列于所述第一掩膜层上；

在各分立排列的所述第一核心层两侧形成第一侧墙；

去除所述第一核心层；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，形成第一掩膜层图形；

去除所述第一侧墙，以所述第一掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述衬底，形成鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心层材料为无定形硅或二氧化硅或氮化硅或碳化硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一核心层材料为无定形硅时，采用湿法腐蚀减小所述鳍部间隔图形中所述第一核心层的宽度。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用碱性腐蚀液，包括NH₄OH或(CH₃)₄NOH或(C₂H₅)₄NOH的其中一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层材料为二氧化硅或氮化硅或碳化硅或无定形硅。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层材料为二氧化硅或氮化硅或碳化硅时，采用干法刻蚀去除所述第二掩膜层，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括HF和NH₃。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层材料为含碳有机物。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙材料为氮化硅，形成所述第一侧墙采用原子层沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述分立排列的鳍部间隔图形之前，还包括：

在所述第二掩膜层上形成第二核心层；

刻蚀所述第二核心层至露出所述第二掩膜层，形成第二核心层图形，所述第二核心层图形与后续鳍部间距对应；

以所述第二核心层图形为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层和所述第一核心层；

去除所述第二核心层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述分立排列的鳍部间隔图形之前，还包括：

在所述第二掩膜层上形成第二核心层；

刻蚀所述第二核心层至露出所述第二掩膜层，形成第二核心层图形；

在所述第二核心层图形两侧形成第二侧墙，所述第二侧墙与后续鳍部间距对应；

去除所述第二核心层后，以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述第二掩膜层和所述第一核心层；

去除所述第二侧墙。

11.如权利要求9或10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二核心层材料为无定形硅或光刻胶。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层材料与所述第二掩膜层材料相同。