[发明专利]异质结太阳能电池及其组件、制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

在硅衬底正面依次形成的第一本征钝化层、第一掺杂层、正面透明导电层，以及在所述正面透明导电层上的正面金属电极；

在所述硅衬底背面依次形成的第二本征钝化层、第二掺杂层、半透半反功能层，以及在所述半透半反功能层上的背面金属电极；

其中，所述半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层，且与所述第二掺杂层接触的是所述背面透明导电层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面透明导电层为至少两层，所述背面透明导电层和所述金属层交替设置。

3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述半透半反功能层的厚度为所述硅衬底厚度的0.008％-60％，且，所述金属层的厚度总和为所述硅衬底厚度的0.004％-10％。

4.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面透明导电层的厚度总和为5-500nm，所述金属层的厚度总和为5-100nm。

5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面透明导电层具有大于等于4.5eV的功函数。

6.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述背面透明导电层为氧化铟锡层、掺钨氧化铟层、掺铈氧化铟或掺铝氧化锌层。

7.根据权利要求1或2所述的超薄柔性硅太阳电池，其特征在于，所述金属层为银层、铝层或铜层。

8.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅衬底的厚度为1-130μm。

9.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在硅衬底的正面形成第一本征钝化层，在所述第一本征钝化层上形成第一掺杂层；

在所述硅衬底的背面形成第二本征钝化层，在所述第二本征钝化层上形成第二掺杂层；

在所述第一掺杂层上形成正面透明导电层；

在所述第二掺杂层上形成半透半反功能层，其中所述半透半反功能层包括至少一层背面透明导电层和至少一层金属层，且与所述第二掺杂层接触的是所述背面透明导电层；

在所述正面透明导电层上形成正面金属电极，在所述半透半反功能层上形成背面金属电极。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射沉积法在所述第二掺杂层上形成所述半透半反功能层；并且，沉积金属层时，溅射功率为1-3W/cm²，溅射压强为0.3-0.5Pa，溅射气体为氩气；沉积背面透明导电层时，溅射功率为1-3W/cm²，溅射压强为0.3-0.5Pa，溅射气体为氧气和氩气，且氧气与氩气的流量比为0.01-0.1。

11.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：依次层叠的第一柔性薄膜层、第一热熔胶膜层、如权利要求1-8任一所述的异质结太阳能电池、第二热熔胶膜层、第二柔性薄膜层，其中，所述柔性异质结太阳能电池的厚度为1μm-130μm。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述第一柔性薄膜层和所述第二柔性薄膜层的材料为透明氟聚合物或PMMA。

13.根据权利要12所述的太阳能电池组件，所述透明氟聚合物包括ECTFE、ETFE、UBSF512中的一种或多种。

14.根据权利要求11所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述第一柔性薄膜层和所述第二柔性薄膜层的厚度为25μm-100μm。