[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910544739.1 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110233170B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面聚集;对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。通过本发明的技术方案,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着社会的发展需求,人们对显示器件分辨率的要求也越来越高,在有限的空间内顶发射OLED显示器件拥有更高的分辨率。但是对于顶发射OLED显示器件而言,阴极的厚度比较薄,这导致在OLED显示器件的面积比较大时,由于阴极的电阻比较大,阴极上的IRdrop(压降)非常明显,为了保证OLED显示器件,可以在像素界定层远离衬底基板的一侧表面上形成辅助电极,通过辅助电极与阴极并联来降低阴极的电阻,但这样需要额外的构图工艺来制作辅助电极,增加了OLED显示器件的制程的复杂性,增加了制作OLED显示器件的构图工艺的次数以及生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括层叠设置的绝缘图形和金属图形,所述金属图形位于所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧,所述金属图形在所述衬底基板上的正投影落入所述绝缘图形在所述衬底基板上的正投影内。
可选地,所述显示基板为OLED显示基板,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形。
可选地,所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧采用疏水绝缘材料。
可选地,所述显示基板还包括:
位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧的面状的阴极,所述阴极与所述金属图形连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;
对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面聚集;
对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。
可选地,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形,形成所述绝缘图形之后,对所述疏水绝缘结构进行加热之前,所述方法还包括:
在所述像素界定层的图形限定出的像素区域内形成发光层;
对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
对所述像素界定层的图形上表面的所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述像素界定层的图形的上表面形成金属图形。
可选地,所述疏水绝缘壳体采用含氟疏水绝缘材料。
可选地,所述疏水绝缘壳体中的含氟量为0.5%-5%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910544739.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素界定层、显示装置、阵列基板及其制造方法
- 下一篇:显示面板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的