[发明专利]凸块结构有效
| 申请号： | 201910542464.8 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110634828B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 曾国玮;陈柏琦 | 申请（专利权）人： | 矽创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
1.一种凸块结构，其特征在于，包含：
一凸块本体，所述凸块本体沿一第一方向延伸，且所述凸块本体于垂直所述第一方向的一第二方向两侧分别具有一侧表面；以及
多个补强单元，形成于所述凸块本体的侧表面；
其中，所述凸块结构由金、锡或铅材质制成。
2.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述凸块本体于所述第二方向具有一平均宽度，所述多个补强单元于所述第二方向具有一最小宽度，且所述最小宽度至少为所述平均宽度的2.5％。
3.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，在所述第一方向上一单位长度所含括的范围内，所述凸块本体于所述第一方向的长度为所述单位长度，且所述凸块本体的侧表面具有一侧边长，且所述侧边长至少为所述单位长度的110％。
4.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，在所述第一方向上一单位长度所含括的范围内，在所述第一方向与所述第二方向所构成的平面上，所述多个补强单元的每一截面具有一补强面积总和，而所述凸块本体的一截面具有一本体面积，且所述补强面积总至少为所述本体面积的1％。
5.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，在所述第一方向上20微米所含括的范围内所述凸块本体的侧表面具有至少2个补强单元。
6.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体同一侧表面的所述多个补强单元的形状、尺寸相同。
7.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，所述多个补强单元分别形成于凸块本体的两个侧表面。
8.如权利要求7所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体的两个侧表面的所述多个补强单元的形状、尺寸相同。
9.如权利要求7所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体的两个侧表面的所述多个补强单元为对位设置。
10.如权利要求7所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体的两个侧表面的所述多个补强单元为错位设置。
11.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体同一侧表面的所述多个补强单元于所述第一方向为等距离设置。
12.如权利要求1所述的凸块结构，其特征在于，形成于所述凸块本体同一侧表面的所述多个补强单元于所述第一方向为不等距离设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽创电子股份有限公司，未经矽创电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910542464.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装件
- 下一篇：一种扇出型芯片封装结构及制备方法
