[发明专利]显示基板及其制造方法、有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201910524464.5 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN110112205B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 田宏伟;牛亚男;李栋;刘明;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 颜镝;王莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
本公开涉及一种显示基板及其制造方法、有机发光二极管显示装置。显示基板包括:阵列基板,包括显示区域,显示区域包括像素区和围绕像素区的非像素区;凸起结构,沿第一方向位于阵列基板上,且位于非像素区,第一方向为显示基板的出光方向或出光方向的相反方向;第一金属层,沿第一方向位于凸起结构上,并与工作电压端导电连接;第一平坦化层,沿第一方向位于阵列基板上;多个功能层和阴极层,沿第一方向在第一平坦化层上依次设置;其中,阴极层通过过孔与第一金属层电连接。
技术领域
本公开涉及一种显示基板及其制造方法、有机发光二极管显示装置。
背景技术
有机电致发光显示器(Organic Electro Luminescent Display,简称OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、可实现柔性化等优异性能,逐渐成为显示领域的主流,并可广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。在这其中,柔性OLED因其可满足各种特殊结构的需求而逐渐成为OLED中的主流产品。
IR压降(IR-drop)是指出现在电路中电源和地网络中电压下降或升高的现象。随着柔性工艺的发展,显示尺寸的增大、显示分辨率的提高、线宽的缩小等对于IR-Drop有了显著的影响。为了保证位于像素区域的阴极的透过率,相关技术中的阴极普遍不会被形成的很厚,且阴极通常采用从周边到中心的电流传导路径,这就使得阴极本身的电阻相对更大,并且该电阻随着显示面积增大会对IR-Drop造成更大的影响。基于不同区域的电压和电流的不同,各个区域的显示亮度有所不同,对应的显示效果存在较明显的差异,影响消费者的观看体验。
在相关技术中,在面对较大面积的显示电路时,往往采用辅助阴极的方式来克服阴极电阻过大所造成的IR-Drop。
发明内容
在本公开的一个方面,提供一种显示基板,包括:
阵列基板,包括显示区域,所述显示区域包括像素区和围绕所述像素区的非像素区;
凸起结构,沿第一方向位于所述阵列基板上,且位于所述非像素区,所述第一方向为所述显示基板的出光方向或所述出光方向的相反方向;
第一金属层,沿所述第一方向位于所述凸起结构上,并与工作电压端导电连接;
第一平坦化层,沿所述第一方向位于所述阵列基板上;
多个功能层和阴极层,沿所述第一方向在所述第一平坦化层上依次设置,
其中,所述阴极层通过过孔与所述第一金属层电连接。
在一些实施例中,所述过孔设置在所述多个功能层和所述第一平坦化层中的至少一层,且所述过孔在所述阵列基板的正投影与所述凸起结构在所述阵列基板的正投影至少部分重合,
在一些实施例中,所述阴极层在所述过孔内与所述第一金属层直接接触。
在一些实施例中,所述多个功能层包括:
第二金属层,沿所述第一方向位于所述第一金属层上,与所述第一金属层电连接,并通过所述过孔与所述阴极层直接接触。
在一些实施例中,所述多个功能层还包括:
像素定义层,沿所述第一方向位于所述第二金属层上;
有机发光层,沿所述第一方向位于所述像素定义层上;
其中,所述过孔设置在所述像素定义层和所述有机发光层内。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:
阳极层,沿所述第一方向位于所述第一平坦化层上,且与所述第二金属层同层设置。
在一些实施例中,所述凸起结构相对于所述阵列基板的最大高度为1200nm~3000nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的