[发明专利]显示基板及其制造方法、有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201910524464.5 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN110112205B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 田宏伟;牛亚男;李栋;刘明;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 颜镝;王莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:
阵列基板,包括显示区域,所述显示区域包括像素区和围绕所述像素区的非像素区;
凸起结构,沿第一方向位于所述阵列基板上,且位于所述非像素区,所述第一方向为所述显示基板的出光方向或所述出光方向的相反方向;
第一金属层,沿所述第一方向位于所述凸起结构上,并与工作电压端导电连接;
第一平坦化层,沿所述第一方向位于所述阵列基板上;
多个功能层和阴极层,沿所述第一方向在所述第一平坦化层上依次设置,
其中,所述阴极层通过过孔与所述第一金属层电连接,所述阵列基板还包括弯折区域,所述弯折区域设有凹槽和位于凹槽内的填充材料,所述填充材料与所述凸起结构的材料相同。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述过孔设置在所述多个功能层和所述第一平坦化层中的至少一层,且所述过孔在所述阵列基板的正投影与所述凸起结构在所述阵列基板的正投影至少部分重合。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述阴极层在所述过孔内与所述第一金属层直接接触。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个功能层包括:
第二金属层,沿所述第一方向位于所述第一金属层上,与所述第一金属层电连接,并通过所述过孔与所述阴极层直接接触。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述多个功能层还包括:
像素定义层,沿所述第一方向位于所述第二金属层上;
有机发光层,沿所述第一方向位于所述像素定义层上;
其中,所述过孔设置在所述像素定义层和所述有机发光层内。
6.根据权利要求4所述的显示基板,还包括:
阳极层,沿所述第一方向位于所述第一平坦化层上,且与所述第二金属层同层设置。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述凸起结构相对于所述阵列基板的最大高度为1200nm~3000nm。
8.根据权利要求1~7任一所述的显示基板,其中,所述阵列基板包括:
衬底;和
薄膜晶体管,位于所述衬底上,所述薄膜晶体管包括栅极层和第一源漏极层,
其中,第一源漏极层与所述第一金属层同层设置。
9.根据权利要求1~7任一所述的显示基板,还包括:
衬底;
薄膜晶体管,包括栅极层和第一源漏极层;和
层间绝缘层,位于所述栅极层和所述第一源漏极层之间;
其中,所述凸起结构位于所述层间绝缘层上。
10.根据权利要求1~7任一所述的显示基板,其中,所述阵列基板包括:
衬底;
薄膜晶体管,包括栅极层、第二源漏极层和第一源漏极层;
层间绝缘层,位于所述栅极层和所述第二源漏极层之间;和
第二平坦化层,沿所述第一方向位于所述层间绝缘层上,并覆盖所述第二源漏极层;
其中,所述第一源漏极层和所述凸起结构位于所述第二平坦化层上,且所述第一源漏极层的源极和漏极分别与所述第二源漏极层的源极和漏极电连接。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述凸起结构与所述第二平坦化层的材料相同。
12.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述显示基板包括多个凸起结构,位于所述第二平坦化层上;所述多个凸起结构中的一部分与所述第二平坦化层的材料相同,另一部分与所述填充材料的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的