[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，其包括位于衬底上的导电结构、位于所述导电结构上的蚀刻停止层、位于所述蚀刻停止层上的绝缘层以及延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞。所述接触插塞可以包括顺序堆叠并彼此接触的第一导电图案结构和第二导电图案结构。所述第一导电图案结构的上表面的宽度可以大于所述第二导电图案结构的下表面的宽度。所述第一导电图案结构的至少上部可以具有不垂直于所述衬底的上表面而是相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧壁。

相关申请的交叉引用

通过引用将于2018年9月13日在韩国知识产权局提交的题为“SemiconductorDevices”(半导体器件)的韩国专利申请No.10-2018-0109473全部结合于本申请中。

技术领域

实施例涉及半导体器件。

背景技术

在制造半导体器件时，需要形成与导电结构接触的接触插塞。

发明内容

实施例涉及一种半导体器件，其包括位于衬底上的导电结构、位于所述导电结构上的蚀刻停止层、位于所述蚀刻停止层上的绝缘层以及延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞。所述接触插塞可以包括顺序堆叠并彼此接触的第一导电图案结构和第二导电图案结构。所述第一导电图案结构的上表面的宽度可以大于所述第二导电图案结构的下表面的宽度。所述第一导电图案结构的至少上部可以具有不垂直于所述衬底的上表面但相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧壁。

实施例还涉及一种半导体器件，其包括位于衬底上的导电结构、位于所述导电结构上的蚀刻停止层、位于所述蚀刻停止层上的绝缘层以及在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞。所述接触插塞可以包括在所述竖直方向上在所述接触插塞的至少中心部分处的突出部分，所述突出部分在基本平行于所述衬底的所述上表面的水平方向上突出。

实施例还涉及一种半导体器件，其包括：位于衬底上的绝缘中间层，所述绝缘中间层包含导电结构；位于所述导电结构和所述绝缘中间层上的蚀刻停止层；位于所述蚀刻停止层上的绝缘层；延伸穿过所述蚀刻停止层和所述绝缘层并接触所述导电结构的接触插塞；位于所述接触插塞上的下电极；位于所述下电极上的MTJ结构；以及位于所述MTJ结构上的上电极。所述接触插塞可以包括第一导电图案结构和第二导电图案结构。所述第一导电图案结构的上表面的宽度可以大于所述第二导电图案结构的下表面的宽度。所述第一导电图案结构的至少上部可以具有不垂直于所述衬底的上表面但相对于所述衬底的所述上表面倾斜的侧壁。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，其中：

图1至图7示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的各阶段的横截面视图。

图8至图11示出了根据示例实施例的半导体器件的横截面视图。

图12至图23示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的各阶段的横截面视图。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例实现方式。

在附图中，为了示出清楚起见，可能放大了层和区域的尺寸。还应当理解，当层或元件被称为“在”另一层或衬底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解，当层被称为“在”另一层“下方”时，该层可以直接在另一层下方，并且也可以存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。