[发明专利]发光二极管驱动背板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种发光二极管驱动背板及其制备方法、显示装置。发光二极管驱动背板包括基底以及设置在所述基底上的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括：设置在基底上的包括沟道区和掺杂区的有源层，覆盖所述有源层的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的第一栅极；所述应力疏解结构包括位于所述第一栅极两侧的金属条，所述金属条与所述第一栅极同层设置，且材料相同。本发明通过在薄膜晶体管中设置应力疏解结构，降低了有源层沟道区界面态及体内态的改变程度，降低了载流子传输状态以及传输路径的改变程度，进而抑制了关态电流I_off升高、亚阈值摆幅SS变大的程度，有效克服了现有技术存在的转移工艺影响TFT特性的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管驱动背板及其制备方法、显示装置。

背景技术

半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。其中，随着芯片制作及封装技术的发展，次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)显示和微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示逐渐成为发光二极管驱动背板的一个热点。与有机发光二极管显示(Organic Light EmittingDiode，OLED)显示技术相比，作为新一代显示技术的Micro LED比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、功耗更低。

目前，Micro LED发光二极管驱动背板的制备方式是先分别制备Micro LED和驱动背板，然后通过转移工艺将Micro LED绑定(Bonding)在驱动背板上，实现Micro LED和驱动背板相结合的Micro LED发光二极管驱动背板。

经发明人研究发现，转移工艺后，驱动背板的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)特性受到较大影响，进而影响了Micro LED发光二极管驱动背板的性能。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种发光二极管驱动背板及其制备方法、显示装置，以克服现有技术存在的转移工艺影响TFT特性的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种发光二极管驱动背板，包括基底以及设置在所述基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中设置有应力疏解结构；所述薄膜晶体管包括：设置在基底上的包括沟道区和掺杂区的有源层，覆盖所述有源层的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的第一栅极；所述应力疏解结构包括位于所述第一栅极两侧的金属条，所述金属条与所述第一栅极同层设置，且材料相同。

可选地，所述薄膜晶体管还包括：覆盖所述第一栅极和金属条的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层上开设有暴露出所述有源层掺杂区的两个第一过孔；设置在所述第三绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述两个第一过孔与所述有源层掺杂区连接，使所述金属条位于所述第一栅极与第一过孔之间。

可选地，在垂直于基底的平面内，所述金属条的截面形状为矩形或拱形。

可选地，所述金属条的宽度为2.0μm～3.0μm。

可选地，所述金属条朝向第一栅极一侧的边缘与第一栅极朝向金属条一侧的边缘之间的距离为1.5μm～2μm。

可选地，所述金属条朝向第一过孔一侧的边缘与第一过孔朝向金属条一侧的边缘之间的距离为1.5μm～2μm。

为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种发光二极管驱动背板的制备方法，包括：

在基底上形成包括沟道区和掺杂区的有源层；

形成覆盖所述有源层的第一绝缘层；