[发明专利]发光二极管驱动背板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910486911.2 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110190085B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 李海旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L29/786;H01L33/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 驱动 背板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种发光二极管驱动背板,其特征在于,包括基底以及设置在所述基底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管中设置有应力疏解结构;所述薄膜晶体管包括:设置在基底上的包括沟道区和掺杂区的有源层,覆盖所述有源层的第一绝缘层,设置在所述第一绝缘层上的第一栅极;所述应力疏解结构包括位于所述第一栅极两侧的金属条,所述金属条与所述第一栅极同层设置,且材料相同;所述金属条在所述基底上的正投影位于所述有源层的掺杂区在所述基底上的正投影范围内,用于降低作用在所述有源层的沟道区的应力。
2.根据权利要求1所述的发光二极管驱动背板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:覆盖所述第一栅极和金属条的第二绝缘层,设置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层,所述第三绝缘层上开设有暴露出所述有源层掺杂区的两个第一过孔;设置在所述第三绝缘层上的源电极和漏电极,所述源电极和漏电极分别通过所述两个第一过孔与所述有源层掺杂区连接,使所述金属条位于所述第一栅极与第一过孔之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管驱动背板,其特征在于,在垂直于基底的平面内,所述金属条的截面形状为矩形或拱形。
4.根据权利要求1所述的发光二极管驱动背板,其特征在于,所述金属条的宽度为2.0μm~3.0μm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管驱动背板,其特征在于,所述金属条朝向第一栅极一侧的边缘与第一栅极朝向金属条一侧的边缘之间的距离为1.5μm~2μm。
6.根据权利要求2所述的发光二极管驱动背板,其特征在于,所述金属条朝向第一过孔一侧的边缘与第一过孔朝向金属条一侧的边缘之间的距离为1.5μm~2μm。
7.一种发光二极管驱动背板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成包括沟道区和掺杂区的有源层;
形成覆盖所述有源层的第一绝缘层;
通过同一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成第一栅极和应力疏解结构,所述应力疏解结构包括位于所述第一栅极两侧的金属条;所述金属条在所述基底上的正投影位于所述有源层的掺杂区在所述基底上的正投影范围内,用于降低作用在所述有源层的沟道区的应力。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,还包括:
形成覆盖所述第一栅极和金属条的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层,所述第三绝缘层上开设有暴露出所述有源层掺杂区的两个第一过孔;
在所述第三绝缘层上形成源电极和漏电极,所述源电极和漏电极分别通过所述两个第一过孔与所述有源层掺杂区连接,使所述金属条位于所述第一栅极与第一过孔之间。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在垂直于基底的平面内,所述金属条的截面形状为矩形或拱形;所述金属条的宽度为2.0μm~3.0μm;所述金属条朝向第一栅极一侧的边缘与第一栅极朝向金属条一侧的边缘之间的距离为1.5μm~2μm。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~6任一所述的发光二极管驱动背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的