[发明专利]一种导电膜模具及其制作方法及导电膜有效
申请号: | 201910478718.4 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN112037967B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 刘麟跃;基亮亮;周小红 | 申请(专利权)人: | 苏州维业达触控科技有限公司;苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 模具 及其 制作方法 | ||
1.一种导电膜模具的制作方法,其特征在于,该方法的具体步骤包括:
S1:提供一基板;
S2:处理所述基板一侧的表面,形成粗糙度为0.5-1.0um的粗糙表面;
S3:在所述粗糙表面涂布一层光刻胶,形成光刻胶层;
S4:在所述光刻胶层上制作出具有导电膜的导电层图案且底部表面粗糙的凹槽;
S5:提供一基材,将上述具有底部表面粗糙的凹槽转移到所述基材上,获得具有凸起的导电膜模具,所述凸起与所述凹槽对应且所述凸起的顶部表面粗糙。
2.如权利要求1所述的导电膜模具的制作方法,其特征在于,在步骤S2中,采用酸腐蚀或等离子轰击的方式处理所述基板一侧的表面。
3.如权利要求1所述的导电膜模具的制作方法,其特征在于,在步骤S4中,根据所述导电层图案进行曝光显影后,蚀刻所述光刻胶层,蚀刻深度与所述光刻胶层厚度相同,使所述基板的部分粗糙表面暴露,形成底部表面粗糙的所述凹槽。
4.如权利要求1所述的导电膜模具的制作方法,其特征在于,在步骤S5中,通过UV转印或金属生长的方式将具有所述底部表面粗糙的凹槽转移到所述基材上,在所述基材上获得与所述凹槽对应且顶部表面粗糙的凸起,所述基材和所述凸起形成所述导电膜模具。
5.一种导电膜模具,其特征在于,包括衬底和具有导电膜的导电层图案的凸起,所述凸起设置在所述衬底上,所述凸起的顶部表面的粗糙度为0.5-1.0um。
6.如权利要求5所述的导电膜模具,其特征在于,所述凸起的纵截面为矩形或梯形或类梯形。
7.如权利要求6所述的导电膜模具,其特征在于,所述凸起的高度为3-6um,所述凸起的宽度3-6um。
8.一种导电膜,其特征在于,由权利要求5-7任一所述的导电膜模具制备,包括基层和导电层,所述基层设有凹槽,所述导电层嵌入所述凹槽内,其中,所述凹槽的底部表面粗糙。
9.如权利要求8所述的导电膜,其特征在于,所述底部表面的粗糙度为0.5-1.0um。
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