[发明专利]一种台面PIN的钝化结构和光电二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910466400.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110176507B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张江勇;林科闯;林峰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18 |
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| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 台面 pin 钝化 结构 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种台面PIN的钝化结构，具有P型、I型和N型半导体层，其特征在于：P型、I型和N型半导体层构成了阶梯层台面，其中，I型半导体层为InGaAs吸收层，InGaAs吸收层的侧壁上生长有掺Fe半绝缘InGaAs层。
2.根据权利要求1所述的一种台面PIN的钝化结构，其特征在于：在所述掺Fe半绝缘InGaAs层上依次生长有二次钝化层和抗反射膜，二次钝化层为BCB或PI层，抗反射膜为SiNx、SiOx或SiON层。
3.根据权利要求1或2所述的一种台面PIN的钝化结构，其特征在于：掺Fe半绝缘InGaAs层的厚度为0.01-0.05um。
4.一种光电二极管，其特征在于：包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的U-InP缓冲层、N型InGaAs层、N型InP层、InGaAs吸收层、P型InP 盖帽层和P型InGaAs接触层；N型InP层、InGaAs吸收层、P型InP 盖帽层和P型InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有掺Fe半绝缘InGaAs层。
5.根据权利要求4所述的一种光电二极管，其特征在于：所述掺Fe半绝缘InGaAs层上生长有二次钝化层。
6.根据权利要求5所述的一种光电二极管，其特征在于：二次钝化层为BCB或PI层。
7.根据权利要求4所述的一种光电二极管，其特征在于：所述二次钝化层上生长有抗反射膜。
8.根据权利要求7所述的一种光电二极管，其特征在于：抗反射膜为SiNx、SiOx或SiON层。
9.根据权利要求4所述的一种光电二极管，其特征在于：掺Fe半绝缘InGaAs层的厚度为0.01-0.05um。
10.一种光电二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：在半绝缘InP衬底上面依次生长的U-InP缓冲层、N型InGaAs层、N型InP层、InGaAs吸收层、P型InP 盖帽层和P型InGaAs接触层；
步骤2：利用腐蚀方法依次腐蚀掉P型InGaAs接触层、P型InP 盖帽层、InGaAs吸收层和N型InP层，形成阶梯层台面；
步骤3：进行二次外延生长，生长掺Fe半绝缘InGaAs层对阶梯层台面进行钝化；
步骤4：利用依次湿法或干法刻蚀腐蚀技术刻蚀出光窗、N型接触层以及半绝缘衬底层；
步骤5：利用BCB或PI对台面进行包覆，接着PECVD技术生长抗反射膜，利用光刻和刻蚀技术形成欧姆接触窗口；
步骤6：利用蒸镀和金属剥离技术完成电极蒸镀。
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