[发明专利]非易失性存储器存抑制在审
申请号: | 201910430180.X | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110633050A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | K.多希;B.尚卡 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 姜冰;杨美灵 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器操作 非易失性存储器 半导体设备 存储器 | ||
1. 一种电子处理系统,包括:
存储器;以及
通信地耦合到所述存储器的存储器控制器,所述存储器控制器包含用于以下操作的逻辑:
确定所述存储器上的存储器操作是否可避免,以及
如果确定所述存储器操作可避免,则抑制所述存储器操作。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述逻辑要进一步:
基于写操作是否修改所述存储器的内容来确定所述存储器操作是否可避免。
3.如权利要求1所述的系统,其中所述逻辑要进一步:
从所述存储器读高速缓存行的原始内容,以响应于对高速缓存行写操作的请求;
将所述原始内容与所述高速缓存行的当前内容进行比较;以及
如果所述原始内容与所述当前内容匹配,则抑制所述高速缓存行写操作。
4. 如权利要求1所述的系统,其中所述逻辑要进一步:
收集与静默存操作相关的信息;以及
报告与静默存操作相关的所述信息。
5.如权利要求4所述的系统,其中所述逻辑要进一步:
记录与静默存操作相对应的时钟持续期和数据地址。
6.如权利要求1所述的系统,其中所述存储器包括非易失性存储器。
7. 一种半导体设备,包括:
一个或多个衬底;以及
耦合到所述一个或多个衬底的逻辑,其中所述逻辑在可配置逻辑和固定功能性硬件逻辑的一个或多个中被至少部分地实现,耦合到所述一个或多个衬底的所述逻辑用于:
确定存储器上的存储器操作是否可避免,以及
如果确定所述存储器操作可避免,则抑制所述存储器操作。
8.如权利要求7所述的设备,其中所述逻辑要进一步:
基于写操作是否修改所述存储器的内容来确定所述存储器操作是否可避免。
9.如权利要求7所述的设备,其中所述逻辑要进一步:
从所述存储器读高速缓存行的原始内容,以响应于对高速缓存行写操作的请求;
将所述原始内容与所述高速缓存行的当前内容进行比较;以及
如果所述原始内容与所述当前内容匹配,则抑制所述高速缓存行写操作。
10. 如权利要求7所述的设备,其中所述逻辑要进一步:
收集与静默存操作相关的信息;以及
报告与静默存操作相关的所述信息。
11.如权利要求10所述的设备,其中所述逻辑要进一步:
记录与静默存操作相对应的时钟持续期和数据地址。
12.如权利要求7到11的任一项所述的设备,其中所述存储器包括非易失性存储器。
13.如权利要求7到12的任一项所述的设备,其中耦合到所述一个或多个衬底的所述逻辑包含被放置在所述一个或多个衬底内的晶体管沟道区域。
14. 一种控制存储器的方法,包括:
确定存储器上的存储器操作是否可避免;以及
如果确定所述存储器操作可避免,则抑制所述存储器操作。
15.如权利要求14所述的方法,进一步包括:
基于写操作是否修改所述存储器的内容来确定所述存储器操作是否可避免。
16.如权利要求14所述的方法,进一步包括:
从所述存储器读高速缓存行的原始内容,以响应于对高速缓存行写操作的请求;
将所述原始内容与所述高速缓存行的当前内容进行比较;以及
如果所述原始内容与所述当前内容匹配,则抑制所述高速缓存行写操作。
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