[发明专利]基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统在审
| 申请号： | 201910389436.7 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN109950793A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王俊;刘恒;谭少阳 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06;G02B26/08;G02B26/10 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 正面电极 转轴 外延层 背面电极 点阵光源 衬底层 反射镜 成像 扫描 反射镜转动 激光器点阵 激光扫描 驱动机构 依次层叠 阵列形式 点阵 出射光 金属层 排布 投射 反射 垂直 驱动 发射 | ||
1.一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，所述VCSEL点阵光源系统包括：VCSEL激光器以及MEMS微镜；
所述VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，所述正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，所述正面电极为多个，多个正面电极以规则或者非规则阵列形式排布于所述外延层上，且多个正面电极通过金属层相连接，所述MEMS微镜位于所述VCSEL激光器的出射光路上，所述MEMS微镜包括：反射镜以及驱动所述反射镜转动的驱动机构，所述反射镜具有第一转轴以及第二转轴，所述第一转轴与所述第二转轴相垂直。
2.根据权利要求1所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，所述衬底层为导电的半导体衬底层。
3.根据权利要求1所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，所述外延层为高掺杂的半导体外延层。
4.根据权利要求1所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，任一所述外延层包括：上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构，所述上DBR结构、有源层结构以及下DBR结构自上而下依次层叠设置。
5.根据权利要求1所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，所述驱动机构包括：金属线圈以及磁铁，所述金属线圈位于所述反射镜的外围，并与所述反射镜的四周边缘相抵靠，所述磁铁位于所述反射镜下方。
6.根据权利要求1所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，所述反射镜以第一转轴进行转动时，所述VCSEL激光器对扫描区域的一列进行扫描，所述反射镜以第二转轴进行转动时，所述VCSEL激光器对扫描区域的一行进行扫描。
7.根据权利要求6所述的基于MEMS微镜扫描的VCSEL点阵光源系统，其特征在于，通过控制MEMS微镜转动轴，实现所述VCSEL激光器对扫描区域的规则扫描或者非规则扫描。
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