[发明专利]彩色化显示Micro-LED器件的制备方法在审
申请号: | 201910374429.X | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110224001A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 王新中;赵志力;王恺;孙小卫;陈明祥 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院;南方科技大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝光 通孔 制备 量子点发光材料 喷墨打印 彩色化显示 区域对应 红光 基板 模具 发光区域 蓝光区域 逐渐增加 光量子 量子点 绿光 预设 垂直 | ||
1.一种彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,在所述基板上制备蓝光Micro-LED阵列,所述蓝光Micro-LED阵列包括多个蓝光Micro-LED单元;
在所述蓝光Micro-LED阵列上设置模具,且所述模具在所述蓝光Micro-LED单元上方设置通孔,且沿着垂直远离所述蓝光Micro-LED阵列的方向,所述通孔的尺寸逐渐增加;
根据预设发光区域,在红光区域对应的所述通孔中喷墨打印红色量子点发光材料制备红光量子点单元,在绿光区域对应的所述通孔中喷墨打印绿色量子点发光材料制备绿光量子点单元,蓝光区域对应的所述通孔不喷墨打印量子点发光材料,且所述红光量子点单元、所述绿光量子点单元的厚度均不高于所述通孔的高度,制备彩色化Micro-LED。
2.如权利要求1所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述通孔的侧壁与所述蓝光Micro-LED单元的上表面之间的夹角为115°~155°。
3.如权利要求1所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述蓝光Micro-LED单元的横向切面尺寸为(20μm~50μm)×(20μm~50μm)。
4.如权利要求1至3任一项所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,相邻的所述蓝光Micro-LED单元之间的距离为50μm~100μm。
5.如权利要求1至3任一项所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述通孔的高度为20μm~40μm。
6.如权利要求5所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述红光量子点单元的厚度小于等于20μm;和/或
所述绿光量子点单元的厚度小于等于20μm。
7.如权利要求1至3任一项所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述红光量子点单元为立方体形状或球冠形状。
8.如权利要求1至3任一项所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述绿光量子点单元为立方体形状或球冠形状。
9.如权利要求1至3任一项所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述模具为光刻胶模具,且所述通孔的纵向切面为倒梯形。
10.如权利要求9所述的彩色化显示Micro-LED器件的制备方法,其特征在于,所述光刻胶模具的制备方法为:
提供衬底,在所述衬底上制备光刻胶层;
根据预设发光区域,设计掩膜板,将所述掩膜板设置在所述光刻胶层上方,采用紫外照射对未被所述掩膜板遮盖的光刻胶层部分进行曝光处理,制备光刻胶模具。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的