[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、面板、装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、面板、装置。该薄膜晶体管包括衬底基板；位于衬底基板上的图形化的有源层，有源层包括中间区，以及源极区和漏极区；位于有源层上的栅极绝缘层，栅极绝缘层包括主体部，以及第一子部和第二子部；位于主体部上的栅极；覆盖栅极、第一子部、第二子部以及衬底基板的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的源极和漏极，源极与源极区电连接，漏极与漏极区电连接。本发明实施例提供的技术方案，避免了有源层的高导处理损伤有源层表面，保证了薄膜晶体管具有良好的短沟道器件性能，且绝缘层能够完全覆盖层叠的栅极和主体部与两侧区域内结构之间的台阶，提升了薄膜晶体管的器件性能。

技术领域

本发明实施例涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、面板、装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器中用来控制每个像素亮度的基本电路组件，随着科技的发展，多晶硅结构可在低温环境下利用激光热退火的工艺来形成，薄膜晶体管的制造由早期的非晶硅结构演进到低温多晶硅结构，这种结构工艺的变化大幅改善了薄膜晶体管的电性，也克服了玻璃基板不能耐高温的问题，使薄膜晶体管可直接于玻璃基板上形成。

对于顶栅薄膜晶体管，在形成栅极后，以栅极作为掩膜介质采用自对准工艺实现源极层的高导处理。高导处理采用粒子轰击实现，轰击粒子的能量很高，会损伤有源层中直接被轰击的表面，且粒子轰击具有各向异性,使得栅极下方的有源层的边缘成为轰击阴影区，使得薄膜晶体管无法获得良好的短沟道器件性能。此外，层叠的栅极和栅极绝缘层与有源层之间的段差大，在栅极、有源层和衬底基板上直接形成绝缘层时，绝缘层无法完全覆盖层叠的栅极和栅极绝缘层与有源层之间的台阶，导致有源层和栅极绝缘层连接的拐角处存在空隙，使得薄膜晶体管的性能受到影响。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、面板、装置，以避免有源层的高导处理损伤有源层表面，保证了薄膜晶体管具有良好的短沟道器件性能，且第一绝缘层能够完全覆盖层叠的栅极和主体部与两侧区域内结构之间的台阶，以提升薄膜晶体管的器件性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区；

位于所述有源层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括主体部、第一子部和第二子部，所述主体部位于所述中间区上，所述第一子部位于所述源极区上，所述第二子部位于所述漏极区上；

位于所述主体部上的栅极；

覆盖所述栅极、所述第一子部、所述第二子部以及所述衬底基板的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层上的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示基板，包括上述第一方面所述的薄膜晶体管。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述第二方面所述的显示基板。

第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述第三方面所述的显示面板。

第五方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成图形化的有源层，所述有源层包括中间区，以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区；

在所述有源层上形成原始栅极绝缘层，所述原始栅极绝缘层包括甲子栅极绝缘层、乙子栅极绝缘层和丙子栅极绝缘层，所述甲子栅极绝缘层位于所述中间区上，所述乙子栅极绝缘层位于所述源极区上，所述丙子栅极绝缘层位于所述漏极区上；