[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，包括半导体衬底、埋层、外延层、源极金属、漏极金属和场氧化层，所述外延层上设置有PN变掺杂降场层、P型半导体体区和N型半导体漏区，所述P型半导体体区中设置有半导体源区和半导体体接触区，所述半导体源区和半导体体接触区均与所述源极金属接触；所述漏极金属与所述N型半导体漏区接触；其特征在于：所述PN变掺杂降场层的左半部分为P型变掺杂区，所述PN变掺杂降场层的右半部分为N型变掺杂区，所述P型变掺杂区中的P型杂质浓度从左到右逐渐减小到0cm^-3，所述N型变掺杂区中的N型杂质浓度从右至左逐渐减小到0cm^-3；

所述LDMOS器件还包括栅极，所述栅极设置于外延层侧面靠近所述P型半导体体区的一侧，所述外延层、P型半导体体区以及半导体体接触区均与所述栅极接触，所述栅极中设置有金属槽栅；

所述PN变掺杂降场层的一端与所述P型半导体体区相连，另一端与所述N型半导体漏区相连。

2.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述P型变掺杂区中的P型杂质浓度为从左到右降低的线性分布，所述N型变掺杂区中的N型杂质浓度为从右到左降低的线性分布。

3.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述P型变掺杂降场层中的P型杂质浓度为从左到右降低的高斯分布，所述的N型变掺杂区中的N型杂质浓度分布为从右到左降低的高斯分布。

4.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述栅极的材料为SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、Y₂O₃、La₂O₃、Ta₂O₅、HfO₂或PZT中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件，其特征在于：所述外延层的材料为硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓、氧化镓或锗硅中的任意一种。

6.一种制备权利要求1-5中任意一项所述LDMOS器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：

刻蚀外延层形成沟槽；

在沟槽内淀积介质材料；

形成PN变掺杂降场层，具体包括：步骤一、利用窗口离子注入法在整个外延层顶部注入III族元素，掺杂浓度从左至右逐渐降低；步骤二、利用窗口离子注入法在整个外延层顶部注入V族元素，掺杂浓度从左至右逐渐升高；

形成P型半导体体区和半导体源区；

形成N型半导体漏区和半导体接触区；

制作金属槽栅；

制作源极和漏极。