[发明专利]形成具有改进的隔离结构的集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路的形成方法，包括：

形成部分埋置在衬底中的隔离结构，所述隔离结构的部分从所述衬底的上表面突出；

部分地去除所述隔离结构，从而形成改进的隔离结构，所述改进的隔离结构的上表面低于所述衬底的上表面；以及

形成部分位于所述衬底上以及部分位于所述改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构；

在所述栅极介电结构的侧壁上形成第一间隔件和第二间隔件；

在形成所述第一间隔件和所述第二间隔件之后，在所述衬底中形成源极区和漏极区；

在形成所述源极区和所述漏极区之后，形成覆盖所述衬底的层间介电层；

形成位于所述层间介电层上方的导线，所述导线直接位于所述改进的隔离结构的上方，并且所述导线和直接位于所述改进的隔离结构上方的栅电极结构之间的第一垂直距离大于所述导线和直接位于第二阱上方的所述栅电极结构之间的第二垂直距离，其中，禁止所述导线的相同导电层的导线设置在位于所述第二阱上方的所述栅电极结构的正上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路的形成方法，其中，所述改进的隔离结构的上表面和所述衬底的上表面之间的垂直距离等于或大于

3.根据权利要求1所述的集成电路的形成方法，还包括：

在所述栅极介电结构上方形成所述栅电极结构，所述栅电极结构的上表面具有直接位于所述改进的隔离结构上方的第一部分和不同于所述第一部分的第二部分，且所述栅电极结构的上表面的所述第一部分齐平于或低于所述栅电极结构的上表面的所述第二部分。

4.根据权利要求3所述的集成电路的形成方法，其中，所述第一间隔件横向位于所述源极区和所述栅电极结构之间，其中，所述第一间隔件的与所述栅电极结构相对的侧壁与所述源极区的侧面垂直对准。

5.根据权利要求4所述的集成电路的形成方法，还包括：

在所述栅电极结构、所述源极区或所述漏极区上实施硅化工艺。

6.根据权利要求1所述的集成电路的形成方法，其中，形成所述隔离结构包括实施硅的局部氧化(LOCOS)工艺或浅沟槽隔离(STI)工艺。

7.根据权利要求1所述的集成电路的形成方法，还包括：

基于所述改进的隔离结构和所述栅极介电结构形成双扩散漏极金属氧化物半导体(DDDMOS)晶体管或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。

8.一种集成电路的形成方法，包括：

形成部分埋置在衬底的第一阱中的第一隔离结构，所述第一阱具有第一掺杂类型，且所述第一隔离结构的上部从所述衬底的上表面突出；

部分地去除所述第一隔离结构，从而形成改进的隔离结构，所述改进的隔离结构的上表面低于所述衬底的上表面；以及

形成部分位于所述衬底的第二阱上、部分位于所述衬底的第一阱上以及部分位于所述改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构，所述第二阱具有第二掺杂类型，

在所述栅极介电结构的侧壁上形成第一间隔件和第二间隔件，

在形成所述第一间隔件和所述第二间隔件之后，在所述第一阱中形成漏极区，并且在所述第二阱中形成源极区，

在形成所述漏极区和所述源极区之后，形成覆盖所述衬底的层间介电层；

形成位于所述层间介电层上方的导线，所述导线直接位于所述改进的隔离结构的上方，并且所述导线和直接位于所述改进的隔离结构上方的栅电极结构之间的第一垂直距离大于所述导线和直接位于第二阱上方的所述栅电极结构之间的第二垂直距离，其中，禁止所述导线的相同导电层的导线设置在位于所述第二阱上方的所述栅电极结构的正上方。

9.根据权利要求8所述的集成电路的形成方法，其中，所述第一间隔件横向位于所述源极区和所述栅电极结构之间，其中，所述第一间隔件的与所述栅电极结构相对的侧壁与所述源极区的侧面垂直对准。

10.一种集成电路的形成方法，包括：

形成部分埋置在衬底的第一阱中的第一隔离结构，所述第一阱具有第一掺杂类型，且所述第一隔离结构的上部从所述衬底的上表面突出；

部分地去除所述第一隔离结构，从而形成改进的隔离结构，所述改进的隔离结构的上表面低于所述衬底的上表面；

形成部分位于所述衬底的第二阱上、部分位于所述衬底的所述第一阱上且部分位于所述改进的隔离结构的上表面上的栅极介电结构，所述第二阱具有第二掺杂类型；以及

在所述栅极介电结构上方形成栅电极结构，所述栅电极结构的上表面具有直接位于所述改进的隔离结构上方的第一部分和直接位于所述第二阱上方的第二部分，且所述栅电极结构的上表面的所述第一部分齐平于或低于所述栅电极结构的上表面的所述第二部分；

在所述栅电极结构的侧壁上形成第一间隔件和第二间隔件；

在形成所述第一间隔件和所述第二间隔件之后，在所述第一阱中形成漏极区并且在所述第二阱中形成源极区；

在形成所述源极区和所述漏极区之后，形成覆盖所述衬底的层间介电层；

形成位于所述层间介电层上方的导线，所述导线直接位于所述改进的隔离结构的上方，并且所述导线和直接位于所述改进的隔离结构上方的所述栅电极结构之间的第一垂直距离大于所述导线和直接位于第二阱上方的所述栅电极结构之间的第二垂直距离，其中，禁止所述导线的相同导电层的导线设置在位于所述第二阱上方的所述栅电极结构的正上方。