[发明专利]芯片贴装膜在审
申请号: | 201910348087.4 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110473793A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 冈村卓;中村胜;淀良彰 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 乔婉;于靖帅<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片贴装 器件芯片 改质层 被固定部件 被加工物 断裂起点 晶片分割 一体地 点状 成型 分割 加工 | ||
提供芯片贴装膜,能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间,并且能够按照每个器件芯片容易地进行分割。芯片贴装膜(115)用于将从晶片分割的器件芯片固定于被固定部件,在该芯片贴装膜的内部形成有作为断裂起点的改质层(20)。该改质层(20)形成为点状。芯片贴装膜(115)层叠在扩展带(117)上而与该扩展带(117)一体地成型。
技术领域
本发明涉及芯片贴装膜(DAF)。
背景技术
在将半导体晶片或光器件晶片等被加工物分割成各个器件芯片之后,使用用于将器件芯片固定于基板等的DAF(Die Attached Film:芯片贴装膜)(例如,参照专利文献1)。作为被加工物的加工方法之一已知的SDBG(Stealth Dicing Before Grinding:磨削前隐形切割)工序在将DAF和扩展带粘贴在已沿着分割预定线在内部形成有改质层的被加工物的背面上之后,对扩展带进行扩展而将被加工物分割成各个器件芯片,并且按照每个器件芯片对DAF进行分割。
另外,作为将作为专利文献1等所记载的被加工物的加工方法的DBG(DicingBefore Grinding:磨削前切割)和通过激光光线等将DAF切断的工序组合而得的工序,在将DAF粘贴在已分割成各个器件芯片的被加工物的背面上之后,利用烧蚀加工等按照每个器件芯片对从分割槽露出的DAF进行分割。
专利文献1:日本特开2015-207724号公报
在SDBG工序中,根据加工条件,有可能无法按照每个器件芯片将DAF完全分割。另外,在将DBG和DAF的切断组合而得的工序中,在对被加工物的背面进行磨削时,器件芯片略微移动而在该器件芯片的排列上产生偏差。因此,由于与器件芯片的偏差相对应的对准以及用于对DAF进行分割的烧蚀加工等,使对被加工物进行加工时的所需时间变。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供芯片贴装膜(DAF),能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间,并且能够按照每个器件芯片容易地进行分割。
为了解决上述课题实现目的,本发明的芯片贴装膜的特征在于,该芯片贴装膜在内部形成有作为断裂起点的改质层。
根据该结构,在粘贴于被加工物之前的状态下,在DAF的内部形成有作为断裂起点的改质层,因此能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间长时间化,并且能够按照每个芯片容易地对DAF进行分割。
在该结构中,也可以是,该改质层形成为点状。另外,也可以构成为该DAF的形状与作为粘贴对象的被加工物相同,中央部的该改质层比外周部的该改质层多。这里,改质层多是指与DAF的中央部相对应的区域中的改质层的比例大于与DAF的外周部相对应的区域中的改质层的比例。
另外,也可以是,该DAF具有:第1改质层,其作为该改质层而形成于在该芯片贴装膜的正面露出的位置;以及第2改质层,其作为该改质层而形成于在该芯片贴装膜的背面露出的位置,该第1改质层和该第2改质层交替形成。
另外,也可以是,该DAF层叠在扩展带上而与该扩展带一体地成型。另外,也可以是,该DAF卷绕成卷状。
根据本发明,在粘贴于被加工物之前的状态下,在DAF的内部形成有作为断裂起点的改质层,因此能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间变长,并且能够按照每个芯片容易地对DAF进行分割。
附图说明
图1是示出具有实施方式1的DAF的粘接片的一例的立体图。
图2是图1的I-I剖视图。
图3是示出形成于DAF的改质层的一例的俯视图。
图4是示出要粘贴DAF的被加工物的一例的立体图。
图5是示出粘贴有DAF和扩展带的被加工物的一例的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造