[发明专利]冷却装置和半导体处理设备有效
申请号: | 201910330151.6 | 申请日: | 2019-04-23 |
公开(公告)号: | CN111834247B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 宋新丰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 半导体 处理 设备 | ||
1.一种冷却装置,其特征在于,所述冷却装置包括吹扫组件,所述吹扫组件包括进气主管路、与所述进气主管路并联连接的若干个进气支管路以及分别与各所述进气支管路连接的若干个吹扫件,各所述吹扫件排列形成第一非完整环形结构;
所述吹扫件包括一个吹扫管路,所述吹扫管路上设置有至少两组吹扫孔,每组均包括若干个吹扫孔,并且,每组所包括的吹扫孔尺寸和/或数量不同于其他组;或者,
所述吹扫件包括至少两个并列设置的吹扫管路,每个所述吹扫管路上均设置有若干个吹扫孔,并且,每个所述吹扫管路上的吹扫孔尺寸和/或数量均不同于其他吹扫管路;
在垂直于所述第一非完整环形结构所在平面的方向上,位于顶部的吹扫孔的尺寸和数量分别小于位于底部的吹扫孔的尺寸和数量。
2.根据权利要求1所述的冷却装置,其特征在于,所述吹扫组件还包括若干个第一调节阀,每个所述进气支管路上均串接有一个所述第一调节阀,用以调节该进气支管路的进气量。
3.根据权利要求1所述的冷却装置,其特征在于,所述吹扫孔沿对应的所述吹扫管路的轴线方向等间距设置。
4.根据权利要求1或2所述的冷却装置,其特征在于,所述进气主管路与各所述进气支管路、各所述吹扫件一体成型。
5.根据权利要求1或2所述的冷却装置,其特征在于,所述冷却装置还包括排气组件,所述排气组件包括排气主管路、与所述排气主管路并联连接的若干个排气支管路以及与各所述排气支管路连接的匀流件,所述匀流件上设置有若干个匀流孔,各所述匀流孔排列形成第二非完整环形结构。
6.根据权利要求5所述的冷却装置,其特征在于,所述第一非完整环形结构与所述第二非完整环形结构共同构成完整环形结构。
7.根据权利要求5所述的冷却装置,其特征在于,所述匀流件内设置有若干个隔离件,所述若干个隔离件将所述匀流件内部隔离形成若干个排气通道,每个排气通道与对应的所述排气支管路连通。
8.根据权利要求5所述的冷却装置,其特征在于,所述排气组件还包括若干个第二调节阀,每个所述排气支管路上均串接有一个所述第二调节阀,用以调节该排气支管路的排气量。
9.根据权利要求5所述的冷却装置,其特征在于,所述排气主管路的排气端口处形成负压。
10.一种半导体处理设备,其特征在于,包括权利要求1至9中任意一项所述的冷却装置。
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备还包括工艺腔室、与所述工艺腔室连接的微环境、设置在所述微环境内并可升降地承载件,所述承载件用于承载晶圆;所述吹扫组件设置在所述微环境内,并与所述承载件上的晶圆相对应,并且,
在所述冷却装置包括排气组件时,所述排气组件设置在所述微环境内,与所述吹扫组件相对设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910330151.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造