[发明专利]电容器结构

说明书

此处公开低电容的电容器结构。在一例中，公开的电容器结构包括第一电极与第二电极。第一电极包括第一金属指。第二电极包括第二金属指与第三金属指，且第二金属指与第三金属指彼此平行并平行于第一金属指。第一金属指形成于第二金属指与第三金属指之间。电容器结构亦包含第四金属指形成于第一金属指与第二金属指之间并作为虚置金属指，以及第五金属指形成于第一金属指与第三金属指之间并作为另一虚置金属指。第四金属指与第五金属指平行于第一金属指。

技术领域

本发明实施例涉及电容器结构，更特别涉及其虚置金属指。

背景技术

物联网的发展引发集成电路的许多低功率应用。由于低功率模式中的集成电路操作电流够低，需要低电容的电容器以用于采用切换电容器及循续渐近式模拟数字转换器的高分辨率应用。

集成电路中低电容的电容器(如次法拉的金属-氧化物-金属电容器)通常面邻不匹配的问题，因此难以设计。有三种现有方法可形成低电容的电容器：减少指长度、增加指间的空间、以及串联多个电容器。

然而减少指长度会减少电容器指的面积，造成更差的不匹配效能，以及电容器阵列的中心与边缘的平均偏移。增加指间的空间会在集成电路的工艺控制中导入低金属密度的风险。依据电路设计规则，通常需要一致的金属密度。与集成电路中的周围构件相较下具有较低金属密度的电容器，会影响周围构件的操作效能。最后，串联多个现有电容器会导入邻接问题，即串联需要额外的金属线路而加大集成电路面积。

如此一来，现有的电容器结构无法完全满足具有低电容的电容器的设计需求。

发明内容

本发明一实施例提供的电容器结构，包括：第一电极，包括第一金属指；第二电极，包括第二金属指与第三金属指，第二金属指与第三金属指彼此平行并平行于第一金属指，其中第一金属指形成于第二金属指与第三金属指之间；第四金属指，形成于第一金属指与第二金属指之间并作为虚置金属指，其中第四金属指平行于第一金属指与第二金属指；以及第五金属指，形成于第一金属指与第三金属指之间并作为另一虚置金属指，其中五金属指平行于第一金属指与第三金属指。

本发明一实施例提供的电容器结构，包括：第一电极，包括第一金属指；第二电极，包括多个金属指，其中每一金属指平行于第一金属指；以及至少一虚置金属指，形成于金属指的一者与第一金属指之间，其中虚置金属指平行于第一金属指。

本发明一实施例提供的电容器结构的形成方法，包括：形成底层，且底层包括电容器结构的共同电极的至少一金属指；形成第一虚置指层，且虚置指层包括至少一虚置金属指与第一两侧指，其中第一两侧指耦接至共同电极；形成信号指层，且信号指层包括电容器结构的信号电极的金属指与第二两侧指，且第二两侧指耦接至共同电极；形成第二虚置指层，且第二虚置指层包括至少一虚置金属指与第三两侧指，且第三两侧指耦接至共同电极；以及形成顶层，且顶层包括共同电极的至少一金属指。

本发明一实施例提供的电容器阵列，包括多个串联的单位电容器，其中每一单位电容器包括：第一电极，包括第一金属指；第二电极，包括两个侧金属指，其中每一侧金属指平行于第一金属指，其中第一金属指形成于两个侧金属指之间；以及至少一虚置金属指，形成于两个侧金属指的一者与第一金属指之间，其中虚置金属指平行于第一金属指。

附图说明

图1A是本发明一些实施例中，例示性的电容器结构的剖视图。

图1B是本发明一些实施例中，图1A中例示性的电容器结构所用的电路图。

图2是例示性电容器结构的不匹配效能比较。

图3是本发明一些实施例中，例示性的电容器结构的邻接效能。

图4是本发明一些实施例中，多种例示性的电容器结构的剖视图。

图5是本发明一些实施例中，多种例示性的电容器结构的透视图。