[发明专利]附着基板的方法和用于附着基板的设备在审
申请号: | 201910316419.0 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110391155A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 金泰珍;姜锡宙;金相喆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李强;金丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 附着基板 气体供应器 传送单元 离型膜 基板剥离 基板附着 喷射气体 凸出地 粘附体 梭台 抬起 附着 | ||
1.一种附着基板的方法,其中,所述方法包括:
将附着有离型膜的基板置于梭台上;
从所述基板剥离所述离型膜;
由传送单元从所述梭台抬起所述基板;
由气体供应器朝向所述基板喷射气体使得所述基板在远离所述气体供应器的方向上凸出地弯曲;
由所述传送单元将所述基板传送到室中;
将所述基板置于所述室中的主台上;以及
将所述基板附着到粘附体。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述基板包括基体层和粘合剂层;并且
所述传送单元不接触所述粘合剂层的上表面。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在由所述传送单元将所述基板传送到所述室中的过程中,在弯曲状态下传送所述基板。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,所述基板从所述基板的中央部至所述基板的边缘部依次接触所述主台。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,所述气体供应器朝向所述基板喷射气体。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,通过在所述主台中限定的至少一个孔将所述基板真空吸附到所述主台。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述主台包括中央部和介于所述中央部和边缘之间的外围部;并且
所述主台具有位于所述中央部处的多个第一孔和位于所述外围部处的多个第二孔。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,通过所述多个第一孔真空吸附所述基板,然后通过所述多个第二孔真空吸附所述基板。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,由位于所述第一孔处的吸附垫固定所述基板,然后通过所述多个第二孔真空吸附所述基板。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述传送单元包括设置为彼此分离的两个传送构件,所述基板插入所述两个传送构件之间。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,在朝向所述基板喷射气体使得所述基板在远离所述气体供应器的所述方向上凸出地弯曲的过程中,所述两个传送构件在彼此接近的方向上移动。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,在将所述基板置于所述室中的所述主台上的过程中,所述两个传送构件在彼此远离的方向上移动。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,在由所述传送单元将所述基板传送到所述室中的过程中,通过在所述传送构件中限定的至少一个孔将所述基板真空吸附到所述传送构件。
14.根据权利要求10所述的方法,其中:
所述传送单元还包括连接到所述两个传送构件的支撑框架;并且
所述两个传送构件中的每个具有与所述支撑框架相对的倾斜表面。
15.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括在从所述基板剥离所述离型膜之后以及在所述传送单元从所述梭台抬起所述基板之前对所述基板执行等离子体工艺。
16.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法还包括在从所述基板剥离所述离型膜之前清洗所述离型膜所附着到的所述基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910316419.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造