[发明专利]一种微发光二极管阵列制作方法

说明书

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，涉及发光二极管技术领域。首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。本发明实施例提供的微发光二极管阵列制作方法具有加工过程更加高效的效果。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种微发光二极管阵列制作方法。

背景技术

发光芯片(Light Emitting Diode，发光二极管)显示装置是一种在驱动电路的基片上组装高密度二维微型发光二极管(发光芯片)阵列的全固态自发光阵列，将LED尺寸微缩到微米级，以达到超高像素密度、超高分辨率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。优化设计发光芯片器件的结构，以及发光芯片阵列的制作方法，以便微型的LED器件能够更高效的转移和组装至驱动基板上，形成由高密度发光芯片阵列构成的自发显示装置成为当今研究的重点。由于发光芯片本身尺寸只有几十微米，正装或倒装发光芯片结构，电极及电互连占据芯片面积较大，发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高，对于超高像素发光芯片显示装置，上述器件结构难以满足需求。

发明内容

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。

本发明的另一目的在于提供了一种键合基板，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。

本发明的另一目的在于提供了一种发光芯片，以解决现有技术中发光芯片器件的尺寸难以降低，像素密度难以提高的问题。为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种微发光二极管阵列制作方法，所述微发光二极管阵列制作方法包括：

基于第一基板的一侧制作图案化发光层；

基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层；

将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片；

去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离；

将所述转移基板上的发光芯片安装于目标基板，以形成微发光二极管阵列。

第二方面，本发明实施例还提出一种键合基板，所述键合基板包括：第二基板及位于所述第二基板一侧的图案化键合层；其中，所述图案化键合层包括牺牲层。

第三方面，本发明实施例提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括发光层，所述发光层连接的键合层；其中，所述键合层的远离所述发光层的一侧设置有图案化安装部。

相对现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种微发光二极管阵列制作方法，首先基于第一基板的一侧制作图案化发光层，然后基于第二基板的一侧制作与所述图案化发光层对应的图案化键合层，其中，所述图案化键合层包括牺牲层，再将所述图案化发光层与所述图案化键合层进行键合，以在所述第二基板的一侧形成多个发光芯片，最后去除所述牺牲层，并利用一转移基板对部分或者全部所述发光芯片进行剥离。由于本发明提供的微发光二极管阵列制作方法采用倒装的方式制作微发光二极管阵列，并且能够通过一转移基板将发光芯片安装于目标基板，因此能够更高效的进行组装。并且，利用去除牺牲层，并利用转移基板的方式，无法人工将发光芯片进行转移，因此能够降低发光芯片器件的尺寸，同时提高像素密度。