[发明专利]显示装置及显示装置的制备方法有效
申请号: | 201910310840.0 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN109979947B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李源规;文国哲;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
预设弯折区,包括基材层和设置在所述基材层一侧的第一刻蚀阻挡层;
与所述预设弯折区连接的非弯折区,包括层叠设置的所述基材层、所述第一刻蚀阻挡层和第一无机材料层;以及
设置于所述第一刻蚀阻挡层和所述第一无机材料层表面的金属走线层;
所述金属走线层包括设置在所述第一刻蚀阻挡层表面的至少一个金属走线单元;
进一步包括:
依次层叠设置的第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层;
其中,在所述预设弯折区,所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述金属走线层和所述第一刻蚀阻挡层之间,其中,所述第二无机材料层包括至少一个第二无机材料单元,所述第二刻蚀阻挡层包括至少一个第二刻蚀阻挡单元,其中,所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置;
在所述非弯折区,所述第二无机材料层和第二刻蚀阻挡层设置在所述第一无机材料层和所述第一刻蚀阻挡层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一刻蚀阻挡层的厚度为10nm。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一刻蚀阻挡层采用的材料包括非晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一无机材料层与所述第一刻蚀阻挡层的刻蚀选择比大于1。
5.一种如权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
在基材层上形成依次层叠的第一刻蚀阻挡层、第二无机材料层、第二刻蚀阻挡层和第一无机材料层;
对预设弯折区的所述第一无机材料层进行第一刻蚀;
当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时,停止所述第一刻蚀;
在所述第一无机材料层和所述第二刻蚀阻挡层表面形成金属走线层;以及
对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀,以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,对所述预设弯折区的所述金属走线层、所述第二刻蚀阻挡层以及所述第二无机材料层进行刻蚀,以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上对应设置的所述第二无机材料单元、所述第二刻蚀阻挡单元和所述金属走线单元包括:
对位于所述预设弯折区的所述金属走线层进行第二刻蚀;
当监测到刻蚀至所述第二刻蚀阻挡层表面时,停止所述第二刻蚀以形成至少一个金属走线单元;
依据所述至少一个金属走线单元所组成的图案对所述第二刻蚀阻挡层和所述第二无机材料层进行第三刻蚀;以及
当监测到刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层表面时,停止所述第三刻蚀,以形成多组在垂直于所述第一刻蚀阻挡层的方向上与所述金属走线单元对应设置的所述第二无机材料单元和所述第二刻蚀阻挡单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的