[发明专利]半导体结构的形成方法以及半导体结构

说明书

本发明实施例涉及一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料中具有有机基团以及无机成分；在所述缓冲层表面形成侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间；在形成所述侧墙层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，以所述侧墙层和所述缓冲层为掩膜，刻蚀所述基底。本发明能够改善自对准图形的图形质量，提高半导体生产良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法以及半导体结构。

背景技术

半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步，器件的功能不断强大，半导体制造难度也与日俱增。光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术，随着半导体工艺节点的不断减小，现有的光刻技术已经无法满足半导体制造的需求。

双重图形化(DP：Double-Patterning)技术甚至多重图形化技术成为了业界的最佳选择之一，双重图形化技术只需要对现有的光刻基础设施进行很小的改动，就可以有效地填补更小节点的光刻技术空白，改进相邻半导体图形之间的最小间距(pitch)。双重图形化技术的原理是将一套高密度的图形分解成两套分立的、密度低一些的图形，然后将它们制备到晶圆上。现有技术的双重图形化技术主要有：自对准双重图形化(SADP：Self-Aligned Double-Patterning)、二次光刻和刻蚀工艺(LELE：Litho-Eth-Litho-Eth)。

然而，现有技术形成的半导体结构的性能仍有待提高。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，改善自对准图形化的图形质量，提高生产良率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有若干分立的牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成缓冲层，所述缓冲层的材料具有有机基团以及无机成分；在所述缓冲层表面形成侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间；去除所述牺牲层；以所述侧墙层和所述缓冲层为掩膜，刻蚀所述基底。

本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的半导体结构的形成方法的技术方案中，在基底上形成分立的牺牲层之后、形成侧墙层之前，在牺牲层侧壁表面形成缓冲层，且缓冲层的材料中具有有机基团以及无机成分，有机基团与牺牲层材料之间具有相容性，使得缓冲层与牺牲层之间的界面不仅具有良好的结合作用且界面处的应力小；接着在缓冲层表面形成侧墙层，使得缓冲层位于侧墙层与牺牲层之间，缓冲层中的无机成分与侧墙层之间通过化学键结合，且缓冲层与侧墙层之间的应力也相对较小。并且，由于缓冲层形成于所述牺牲层与侧墙层之间，避免了牺牲层与侧墙层直接接触而造成的界面应力大的问题。由此，在去除牺牲层后，避免了由于应力而造成的侧墙层发生倾斜或者倒塌的问题，使得侧墙层的图形形貌能够保持不变，从而提高自对准图形化的图形质量，提高半导体结构的生产良率。

另外，加热处理的加热温度为100℃～130℃，如110℃、120℃、125℃。在该加热温度范围下，硅烷偶联剂中的组分分子运动较剧烈，分子碰撞机会增大，有利于共缩聚体的生成，因而有利于提高水解反应速率和缩合反应速率，改善形成的缓冲层的质量。