[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201910241877.2 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109950285B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋卓林;江大平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括设置于基板上的像素支撑层，其特征在于，所述像素支撑层包括像素支撑柱；
所述像素支撑柱的上表面设置有多个凸起，所述像素支撑柱为厚度非均匀的单层介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起为圆形凸起和/或椭圆凸起。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起均匀分散排列。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素支撑柱的上表面设置的多个所述凸起中：位于相邻两行的凸起错位排列。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，位于相邻两行的凸起中，其中一行的凸起与另一行的凸起之间的间隔正对设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起的高度为1.0μm～2.0μm。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素支撑柱的上表面设置有5～10个所述凸起。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成有机薄膜；
采用曝光工艺透过掩膜板对所述有机薄膜进行曝光处理；
所述掩膜板包括像素支撑图案区以及位于相邻的像素支撑图案区之间的间隔区；
所述掩膜板在所述间隔区为全透过区；
所述掩膜板在所述像素支撑图案区包括多个不透过区以及位于所述不透过区之间的半透过区；
对所述曝光处理后的基板进行显影处理，以形成包括像素支撑柱的像素支撑层；其中，所述像素支撑柱的上表面具有多个凸起，所述像素支撑柱为厚度非均匀的单层介质薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
