[发明专利]一种贴片式二极管的封装制备方法

权利要求书

1.一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、清洗，将二极管芯片与引脚框架都放入酸液清洗，再经过碱液中和，最后使用无水乙醇浸泡进行超声清洗；

B、预热，将清洗后的二极管芯片和引脚框架进行加热，除去二极管芯片与引脚框架上的无水乙醇同时升高温度；

C、点胶，将银胶均匀涂布于预热后的引脚框架上；

D、固晶，将预热后的二极管芯片贴装在点胶后的引脚框架上，获得核心功能部；

E、除静电，使用离子热风对核心功能部吹风5～15min；

F、固化，将除静电后的核心功能部放入烤炉中后对烤炉抽真空，烤炉以155～165℃加热60～90min，银胶固化成型；

G、降温，向停止加热的烤炉中通入氮气，在烤炉中温度降至60～80℃时取出核心功能部；

H、制胶，将陶瓷颗粒混合于热固性树脂中形成封装胶；

I、封装，降温后的核心功能部放入注塑模具中，合模后向注塑模具中注入封装胶，加热注塑模具至130～150℃，保温90～120min，封装胶固化成型，获得半成品；

J、电镀，将半成品放入保护镀液中，保护镀液在引脚框架的管脚面形成保护镀层，获得成品二极管。

2.根据权利要求1所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤A中，酸液为体积浓度5％的氢氟酸溶液，碱液为体积浓度5％的氢氧化钠溶液。

3.根据权利要求1所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤B中，二极管芯片与引脚框架的加热温度为60～100℃，加热时间为15～30min。

4.根据权利要求1所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤E中，离子热风通过热风机和离子发生器产生。

5.根据权利要求4所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤E中，热风机的热风温度为100～120℃。

6.根据权利要求1所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤H中，热固性树脂和陶瓷颗粒的体积比为7:3。

7.根据权利要求1所述的一种贴片式二极管的封装制备方法，其特征在于，步骤J中，保护镀液为镀锡液，保护镀层为保护镀锡层，保护镀层的厚度为5～10μm。