[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，具备：

基板；

第1构件，在相对于所述基板的表面垂直的第1方向上延伸，并包括第1半导体层；

第1布线，在与所述基板的表面平行的第2方向上延伸；

第2布线，在所述第2方向上延伸，并在与所述第1方向和所述第2方向交叉且相对于所述基板的表面平行的第3方向上与所述第1布线相邻；

第1存储单元，在所述第1布线与所述第1构件之间存储信息；

第2存储单元，在所述第2布线与所述第1构件之间存储信息；

第2构件，在所述第1方向上延伸，在所述第1方向上设置在所述第1构件上方，并包括第2半导体层；

第3布线，在所述第1方向上设置在所述第1布线上方，并在所述第2方向上延伸；

第4布线，在所述第2方向上延伸，并在所述第3方向上与所述第3布线相邻；

第3存储单元，在所述第3布线与所述第2构件之间存储信息；

第4存储单元，在所述第4布线与所述第2构件之间存储信息；以及

第3半导体层，设置在所述第1构件与所述第2构件之间，并与所述第1半导体层和所述第2半导体层连续。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第3半导体层包括气隙。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第3半导体层包括接缝。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第3半导体层包括第1部分、第2部分、以及在所述第3方向上设置于所述第1部分与所述第2部分之间的第3部分，

所述第2方向上的所述第1部分的尺寸长于所述第2方向上的所述第3部分的尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第2方向上的所述第3半导体层的尺寸大于所述第2方向上的所述第1构件的尺寸。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第3方向上的所述第3半导体层的尺寸大于所述第3方向上的所述第1构件的尺寸。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第1构件包括设置在所述第1布线与所述第2布线之间的第1芯层，

所述第2构件包括设置在所述第3布线与所述第4布线之间的第2芯层，

所述第1芯层的上部与所述第3半导体层的底部相接，

所述第2半导体层的底部设置在所述第2芯层的底部与所述第3半导体层的上部之间。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，

所述第1构件包括：

所述第1布线与所述第1芯层之间的第1绝缘层；

所述第1布线与所述第1绝缘层之间的第1电荷蓄积层；

所述第1布线与所述第1电荷蓄积层之间的第2绝缘层；

所述第2布线与所述第1芯层之间的第3绝缘层；

所述第2布线与所述第3绝缘层之间的第2电荷蓄积层；以及

所述第2布线与所述第2电荷蓄积层之间的第4绝缘层，

所述第2构件包括：

所述第3布线与所述第2半导体层之间的第5绝缘层；

所述第3布线与所述第5绝缘层之间的第3电荷蓄积层；

所述第3布线与所述第3电荷蓄积层之间的第6绝缘层；

所述第4布线与所述第2半导体层之间的第7绝缘层；

所述第4布线与所述第7绝缘层之间的第4电荷蓄积层；以及

所述第4布线与所述第4电荷蓄积层之间的第8绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第1构件及所述第2构件各自具有矩形的平面形状。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器，

所述第1构件及所述第2构件各自具有包含弧状的平面形状。