[发明专利]一种用于解决散热片的天线效应的方法

说明书

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种用于解决散热片的天线效应的方法，其中包括：步骤S1、提供一集成芯片，于集成芯片的上方依次设置一热传导层及一金属散热片；步骤S2、通过调整热传导层的厚度不等于一预设值，以降低金属散热片的天线效应。本发明的技术方案有益效果在于：公开一种用于解决天线效应的电磁干扰方法，通过调整热传导层的厚度不等于预设值，以降低金属散热片的天线效应，并且可以协助设计者设计出低辐射的H形散热器，也可在协助工程师分析验证电子产品的EMI辐射问题。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种用于解决散热片的天线效应的方法。

背景技术

随着电子行业的发展，电子设备信号传输的速率越来越高，比如，市场上4K的显示屏接口采用高速串行接口“V-By-One”模式传输，其数据传输率已经达到2.97GHz，这样造成的电磁干扰(EMI，Electromagnet集成芯片Interference)辐射尤为突出。并且，在性能不断提升的系统中，处理系统散热变得越来越棘手，为了确保设备安全稳定的运行，用金属散热片来给集成芯片的散热已经成为业界的主流选择，但引入不当设计的金属散热片后会使得系统中的高频信号，比如高速串行接口“V-By-One”的2.97GHz的辐射问题尤为严重，显著增加了产品的研发成本和生产成本。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种用于解决散热片的天线效应的方法。

具体技术方案如下：

一种用于解决散热片的天线效应的方法，其中包括：

步骤S1、提供一集成芯片，于所述集成芯片的上方依次设置一热传导层及一金属散热片；

步骤S2、通过调整所述热传导层的厚度不等于一预设值，以降低所述金属散热片的天线效应。

优选的，所述预设值通过以下公式计算得到：

其中，

C_m用于表示所述集成芯片与所述金属散热片之间的谐振电容值；

ε0用于表示真空介电常数；

εr用于表示所述热传导层的介电常数；

S₁用于表示所述集成芯片与所述金属散热片的有效接触面积。

优选的，所述谐振电容值通过以下公式计算得到：

其中，

R_X用于表示半波天线谐振时的天线阻抗；

f用于表示所述半波天线的辐射频率。

优选的，所述半波天线谐振时的天线阻抗通过以下公式计算得到：

其中，

θ用于表示所述半波天线的电场强度方向和辐射强度方向的之间夹角；

用于表示所述半波天线的磁场强度和辐射强度方向之间的夹角；

D用于表示所述半波天线的天线方向性系数。

优选的，所述热传导层的所述预设值与实际值关系如下：

d＝d_m(n±1/4)；

其中，

d用于表示所述热传导层的所述实际值；

d_m用于表示所述热传导层的所述预设值；