[发明专利]微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板

说明书

本发明提供了一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，该微发光二极管像素单元器件结构包括：氮化镓基微发光二极管结构，氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和与氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。通过直接利用半导体技术，在已经包括LED基本工艺结构的氮化镓基LED外延片上制备TFT结构，规避了现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成所带来的成本高、良率低的问题。

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域，具体涉及一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及包含该微发光二极管像素单元器件结构的显示面板。

背景技术

近年来，微发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示技术发展迅速，备受业界追捧。其制备过程通常是利用巨量转移技术将百万甚至千万数量级的微LED从一块基板转移到薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板上，以实现微LED和TFT的集成。然而，由于微LED的尺寸通常只有几微米到几十微米，像素间距太小，因此巨量转移过程需要成本高昂的精密设备才能实现，并且产品良率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种微LED像素单元器件结构、制备方法及显示面板，以解决现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成时，导致的生产成本高、产品良率低的问题。

本发明一方面提供了一种微发光二极管像素单元器件结构，包括：氮化镓基微发光二极管结构，包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和与氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。

可选地，氮化镓基微发光二极管结构和薄膜晶体管结构水平布置。

可选地，氮化镓基微发光二极管结构还包括透明电极，透明电极设置在p型氮化镓层之上。

可选地，微发光二极管像素单元器件结构还包括与氮化镓基微发光二极管结构电连接的电容结构，电容结构形成于n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。

本发明第二方面提供了一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，包括：提供氮化镓基二极管外延片，包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；在n型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构；分别制备n型氮化镓层和p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构；将薄膜晶体管结构、电容结构和微发光二极管结构电连接。

可选地，在n型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构包括：在p型氮化镓层的表面进行台面刻蚀至露出部分n型氮化镓层；在该部分n型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构。

可选地，分别制备n型氮化镓层和p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构包括：在台面刻蚀形成的台面上沉积透明电极，形成以透明电极为光提取面的微发光二极管结构。

本发明第三方面提供了一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，包括：提供氮化镓基二极管外延片，包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；在p型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构；分别制备n型氮化镓层和p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构；将薄膜晶体管结构、电容结构和微发光二极管结构电连接。

可选地，在p型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构包括：将氮化镓基二极管外延片划分为第一区域和第二区域；在第一区域的p型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构；分别制备n型氮化镓层和p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构包括：在第二区域进行台面刻蚀至露出n型氮化镓层；在台面刻蚀形成的台面上沉积透明电极，形成以透明电极为光提取面的微发光二极管结构。