[发明专利]微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，包括：

氮化镓基微发光二极管结构，所述氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和

与所述氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于所述p型氮化镓层之上。

2.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，所述氮化镓基微发光二极管结构和所述薄膜晶体管结构水平布置。

3.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，所述氮化镓基微发光二极管结构还包括透明电极，所述透明电极设置在所述p型氮化镓层之上。

4.如权利要求1所述的微发光二极管像素单元器件结构，其特征在于，还包括与所述氮化镓基微发光二极管结构电连接的电容结构，所述电容结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于所述p型氮化镓层之上。

5.一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供氮化镓基二极管外延片，所述氮化镓基二极管外延片包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；

在所述n型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构；

分别制备所述n型氮化镓层和所述p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构；

将所述薄膜晶体管结构、所述电容结构和所述微发光二极管结构电连接。

6.如权利要求5所述的微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，在所述n型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构包括：

在所述p型氮化镓层的表面进行台面刻蚀至露出部分n型氮化镓层；

在所述部分n型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构。

7.如权利要求6所述的微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，分别制备所述n型氮化镓层和所述p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构包括：

在所述台面刻蚀形成的台面上沉积透明电极，形成以所述透明电极为光提取面的微发光二极管结构。

8.一种微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供氮化镓基二极管外延片，所述氮化镓基二极管外延片包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；

在所述p型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构；

分别制备所述n型氮化镓层和所述p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构；

将所述薄膜晶体管结构、所述电容结构和所述微发光二极管结构电连接。

9.根据权利要求8微发光二极管像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，在所述p型氮化镓层上制备薄膜晶体管结构和电容结构包括：

将所述氮化镓基二极管外延片划分为第一区域和第二区域；

在所述第一区域的p型氮化镓层之上制备薄膜晶体管结构和电容结构；

所述分别制备所述n型氮化镓层和所述p型氮化镓层的接触电极，以形成微发光二极管结构包括：

在所述第二区域进行台面刻蚀至露出所述n型氮化镓层；

在所述台面刻蚀形成的台面上沉积透明电极，形成以所述透明电极为光提取面的微发光二极管结构。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一所述的微发光二极管像素单元器件结构或权利要求5-9中任一方法制备得到的微发光二极管像素单元器件结构。