[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够抑制材料膜的剥离朝器件区域进展的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备衬底，所述衬底具有设置有半导体元件的第1区域以及从第1区域设置到端部的第2区域。材料膜设置在第1及第2区域的上方。第1金属膜设置在第2区域的材料膜上或第1区域与第2区域之间的材料膜上。从第1区域中的材料膜的表面及第1金属膜之下的材料膜的表面朝向衬底凹陷的槽部设置在第1金属膜与第1区域之间的材料膜中。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-160575号(申请日：2018年8月29日)、以及日本专利申请2018-218600号(申请日：2018年11月21日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该等基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

在将半导体晶片切割而单片化成半导体芯片时或单片化后，有在半导体芯片端部的切割区域中材料膜从衬底剥离的情况。这种材料膜的剥离如果从切割区域朝向器件区域进展，那么会导致半导体芯片不良。

发明内容

实施方式提供一种能够抑制材料膜的剥离朝向器件区域进展的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：衬底，具有设置有半导体元件的第1区域及从所述第1区域设置到端部的第2区域；材料膜，设置在第1及第2区域的上方；以及第1金属膜，设置在第2区域的第1材料膜上、或第1区域与第2区域之间的第1材料膜上。从第1区域中的第1材料膜的表面及第1金属膜之下的第1材料膜的表面朝向衬底凹陷的槽部设置在第1金属膜与第1区域之间的第1材料膜中。

附图说明

图1是表示依照第1实施方式的半导体晶片的一例的概略俯视图。

图2是表示第1实施方式的切割方法的一例的图。

图3是表示继图2后的切割方法的一例的图。

图4是表示继图2后的切割方法的一例的图。

图5是表示继图2后的切割方法的一例的图。

图6是表示继图3后的切割方法的一例的图。

图7是表示继图3后的切割方法的一例的图。

图8是表示继图6后的切割方法的一例的图。

图9是表示切割后的1个半导体芯片的构成例的概略俯视图。

图10是沿着图9的10-10线的剖视图。

图11是表示龟裂到达至槽部的情况的图。

图12是表示半导体装置的封装后的状态的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。在以下的实施方式中，半导体衬底的上下方向表示将设置有半导体元件的一面设为上时的相对方向，有时与依照重力加速度的上下方向不同。附图为示意图或概念图，各部分的比率等未必与实物相同。在说明书及附图中，对与关于已出现过的附图在上文叙述过的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是表示依照第1实施方式的半导体晶片的一例的概略俯视图。半导体晶片W具备多个器件区域Rdev及多个切割区域Rdic。器件区域Rdev及切割区域Rdic是半导体晶片W的表面上的区域。