[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

衬底，具有设置半导体元件的第1区域、及从所述第1区域到所述衬底的端部而设置的第2区域；

第1材料膜，设置在所述第1及第2区域的上方；以及

第1金属膜，设置在所述第2区域的所述第1材料膜上、及所述第1区域与所述第2区域之间的所述第1材料膜上的一个；且

从所述第1区域中的所述第1材料膜的表面及所述第1金属膜之下的所述第1材料膜的表面朝向所述衬底凹陷的槽部设置在所述第1金属膜与所述第1区域之间的所述第1材料膜中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于进而具备元件分离部，所述元件分离部设置在所述第1区域与所述第2区域之间的所述衬底的表面；

所述槽部设置得比所述元件分离部更靠所述第1区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1金属膜设置在所述元件分离部的正上方。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述第1材料膜具有从所述元件分离部朝向所述槽部方向的龟裂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于进而具备第2材料膜，所述第2材料膜设置在所述第1区域的外缘的所述第1材料膜中，且从所述第1材料膜的表面朝向所述衬底延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述槽部以包围所述第1区域的外周整体的方式设置。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于进而具备设置在所述衬底与所述第1材料膜之间的金属化合物层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于在从所述第1材料膜的端部到所述元件分离部的所述第1材料膜与所述金属化合物层之间，具有从所述元件分离部朝向所述槽部方向的龟裂。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述第1材料膜是将多层氧化硅膜与多层氮化硅膜或多层导电膜交替积层的积层膜、或由绝缘膜组成的单层膜；

所述金属化合物层是钨硅化物(WSi)或钨氮化物(WN)。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述元件分离部将所述金属化合物层分断。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于所述第2区域中的所述第1材料膜的表面位于比处在所述第1金属膜之下的所述第1材料膜的表面更靠所述衬底的位置；

所述第1金属膜只设置在所述第1区域与所述第2区域之间的所述第1材料膜上。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于进而具备树脂部，所述树脂部设置在所述第1及第2区域的上方，与所述第1金属膜物理接触，且填充在所述槽部中。