[发明专利]半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法

说明书

公开了半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法。在实施例中，模块包括第一器件区域中的第一电子器件和第二器件区域中的第二电子器件。第一电子器件被可操作地耦合到第二电子器件以形成电路。第一电子器件的侧面和第二电子器件的侧面嵌入在第一环氧树脂层中并且与第一环氧树脂层直接接触。

背景技术。

在诸如功率转换的一些电路中，电路要求被电耦合在一起以提供对应的电路或对应的电路的部分的两个或更多个半导体器件。例如，在马达驱动器、直流-直流转换器和整流器中，电路可能要求晶体管器件的组合，所述晶体管器件被用作为在包括低侧开关和高侧开关的半桥配置中的开关。在半桥配置中，提供低侧开关的晶体管器件的漏极被电耦合到提供高侧开关的晶体管的源极。

在一些实施例中，每个半导体器件（例如晶体管器件）被容纳在封装内，并且各封装被借助于位于封装外部的导电再分配结构电耦合在一起。例如，各封装可以被安装在包括导电再分配结构的电路板上，该导电再分配结构将各封装电耦合以形成电路或电路的部分。然而，对于某些应用而言这样的布置可能占据不合期望地大的横向区。

US 2013/0140673A1公开了一种包括一个半导体管芯的半导体器件，其中第一场效应晶体管和第二场效应晶体管被单片地集成并且形成半桥配置。

占据更小的横向区的用于功率转换电路的半导体器件以及用于制备这样的半导体器件的方法是合期望的。

发明内容

在实施例中，半导体封装包括：第一晶体管器件，其包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；布置在第一表面上的第一功率电极和控制电极以及布置在第二表面上的第二功率电极；布置在第一表面上的第一金属化结构，第一金属化结构包括多个外部接触焊盘，外部接触焊盘包括焊料的保护层，焊料为Ag或Sn；布置在第二表面上的第二金属化结构；导电连接，其从第一表面延伸到第二表面并且将第二功率电极电连接到第一金属化结构的外部接触焊盘；以及第一环氧树脂层，其被布置在晶体管器件的侧面上并且被布置在晶体管器件的第一表面上。第一环氧树脂层包括限定外部接触焊盘和封装占位的横向大小的开口。

在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的在器件区域中的第一表面中形成至少一个第一沟槽，其中半导体晶片包括被布置在半导体晶片的组件位置之间的分离区域，组件位置包括器件区域，器件区域包括电子器件；形成被布置在组件位置中的第一表面上的第一金属化结构，第一金属化结构包括形成封装占位的多个外部接触焊盘；以及将导电材料插入到第一沟槽中；在半导体晶片的在分离区域中的第一表面中形成至少一个第二沟槽；将第一环氧树脂层施加到半导体晶片的第一表面以使得第二沟槽和组件位置的边缘区域被利用第一环氧树脂层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对；以及露出分离区域中的第一环氧树脂层的部分和第一沟槽中的导电材料并且产生经加工的第二表面；将第二金属化层施加到经加工的第二表面并且将第二金属化层可操作地耦合到导电材料和第一主表面上的外部接触焊盘；以及切穿分离区域中的第一环氧树脂层以形成多个分离的半导体封装。

在实施例中，一种方法包括：在半导体晶片的第一表面上形成第一金属化结构，其中半导体晶片包括被布置在组件位置之间的分离区域，组件位置包括器件区域，器件区域包括电子器件，第一金属化结构被布置在组件位置上并且包括形成封装占位的多个外部接触；在半导体晶片的在分离区域中的第一表面中形成至少一个第二沟槽；将第一环氧树脂层施加到半导体晶片的第一表面以使得第二沟槽和组件位置的边缘区域被利用第一环氧树脂层覆盖；去除半导体晶片的第二表面的部分，第二表面与第一表面相对；以及露出在分离区域中的第一环氧树脂层的部分；在半导体晶片的在组件位置的器件区域中的经加工的第二表面中形成至少一个第一沟槽；将导电材料插入到第一沟槽中；将第二金属化层施加到经加工的第二表面并且将第二金属化层可操作地耦合到导电材料和第一主表面上的外部接触焊盘；以及切穿分离区域中的第一环氧树脂层以形成多个分离的半导体封装。