[发明专利]存储器装置和具有该存储器装置的存储器系统

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

独立电路，所述独立电路被配置为输出独立信号；

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被形成在所述独立电路的上部，所述存储器单元阵列包括存储数据的多个存储器单元；

修正电路，所述修正电路被形成在所述存储器单元阵列的上部，所述修正电路存储与所述独立信号不同的更正ROM数据，当在形成在所述存储器单元阵列下方的所述独立电路的测试操作中在所述独立信号中发生错误时，所述修正电路响应于选择信号而输出ROM控制信号和所述更正ROM数据；以及

选择电路，所述选择电路被配置为响应于所述ROM控制信号而输出所述独立信号或所述更正ROM数据。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括以三维结构配置的多个存储块。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述修正电路包括：

储存单元，所述储存单元被配置为根据扇区存储所述更正ROM数据；并且

选择电路，所述选择电路被配置为响应于所述选择信号而输出扇区值和所述ROM控制信号。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述选择电路：

在所述选择信号被启用时输出所述扇区值和所述ROM控制信号；并且

在所述选择信号被禁用时输出默认扇区值并禁用所述ROM控制信号。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述储存单元输出根据所述扇区值选择的更正ROM数据。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当所述扇区值是默认扇区值时，所述储存单元不输出所述更正ROM数据。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述选择电路接收所述独立信号和所述更正ROM数据，并响应于所述ROM控制信号而选择性地输出所述独立信号或所述更正ROM数据。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述选择电路：

在所述ROM控制信号被启用时输出所述更正ROM数据；并且

在所述ROM控制信号被禁用时输出所述独立信号。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：操作电路，所述操作电路被配置为对所述存储器单元阵列执行编程操作、读取操作或擦除操作。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述操作电路被形成在NAND ROM和所述选择电路的底部上，并且形成在基板的上部上。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述操作电路包括：

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为响应于从存储器控制器接收的命令和地址而输出各种操作控制信号；

电压生成电路，所述电压生成电路被配置为响应于所述操作控制信号而生成编程电压、读取电压或擦除电压；

行解码器，所述行解码器被配置为根据所述地址中包括的行地址将所述电压生成电路生成的操作电压发送到所述存储器单元阵列中所包括的被选存储块；

列解码器，所述列解码器被配置为根据所述地址中包括的列地址与输入/输出电路交换数据；

输入/输出电路，所述输入/输出电路被配置为响应于所述操作控制信号而将通过输入/输出线接收的命令和地址发送到所述控制逻辑，并且与所述列解码器交换数据；以及

NAND ROM，所述NAND ROM被配置为存储系统数据。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述输入/输出电路通过所述输入/输出线将从所述选择电路输出的所述独立信号或所述更正ROM数据发送到所述存储器控制器。