[发明专利]物理量传感器和半导体器件有效
申请号: | 201910112771.2 | 申请日: | 2019-02-13 |
公开(公告)号: | CN110176435B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 黑川景亮;马渡和明 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/24;H01L23/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物理量 传感器 半导体器件 | ||
1.一种物理量传感器,包括:
传感器芯片(3),所述传感器芯片具有输出对应于物理量的信号的传感器部分;
支撑构件(1),所述传感器芯片安装到所述支撑构件;
粘合层(2),所述粘合层设置在所述支撑构件的侧面(1a)上,所述粘合层支撑所述传感器芯片;以及
导线(4),所述导线在所述传感器芯片的侧面(3a)上电连接到所述传感器芯片,所述传感器芯片的所述侧面与所述粘合层相对,
其中,所述粘合层包括表现出膨胀特性的材料,其中,随着剪切速率增大,剪切应力以多维函数增大。
2.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中,
所述粘合层完全由包括膨胀性流体的改性粘合层(21)制成。
3.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中,
所述粘合层部分地由包括表现出膨胀特性的材料的改性粘合层(21)制成。
4.根据权利要求3所述的物理量传感器,其中:
在所述传感器芯片的所述侧面上,所述传感器芯片的所述导线连接到的部分被定义为导线连接部分;
在所述传感器芯片的所述侧面上,与所述导线连接部分相邻的区域被定义为导线相邻区域;
在所述传感器芯片的所述侧面上,包括所述导线连接部分和所述导线相邻区域的区域被定义为导线连接区域;
在所述粘合层中,从垂直于所述传感器芯片的所述侧面的方向观察的所述导线连接区域的突出被定义为突出区域;并且
所述粘合层的所述突出区域是包括表现出所述膨胀特性的所述材料的所述改性粘合层(21)。
5.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中,
所述粘合层包括双层结构,其中,具有第一层和第二层的两层在垂直于所述传感器芯片的所述侧面的方向上层合,所述第一层或所述第二层是包括表现出膨胀特性的材料的改性粘合层(21)。
6.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中:
所述传感器芯片被配置为包括(i)具有所述传感器部分的第一基板(31)和(ii)从垂直于所述传感器芯片的所述侧面的方向观察时设置在所述第一基板直接下方的第二基板(32),所述第一基板与所述第二基板层合;并且
所述粘合层由改性粘合层(21)制成,其设置在所述第二基板上以支撑所述第一基板,所述改性粘合层包括表现出膨胀特性的材料。
7.根据权利要求1所述的物理量传感器,其中:
所述传感器芯片被配置为包括(i)具有所述传感器部分的第一基板(31)和(ii)从垂直于所述传感器芯片的所述侧面的方向观察时设置在所述第一基板直接下方的第二基板(32),所述第一基板和所述第二基板层合;并且
所述粘合层由改性粘合层(21)制成,其设置在所述第二基板下方以支撑所述第二基板,所述改性粘合层包括表现出膨胀特性的材料。
8.一种半导体器件,包括:
电路芯片;
支撑构件(1),所述电路芯片安装到所述支撑构件;
粘合层(2),所述粘合层设置在所述支撑构件的侧面(1a)上,所述粘合层支撑所述电路芯片;以及
导线(4),所述导线在所述电路芯片的侧面(3a)上电连接到所述电路芯片,所述电路芯片的所述侧面与所述粘合层相对,
其中,所述粘合层包括表现出膨胀特性的材料,其中,随着剪切速率增大,剪切应力以多维函数增大。
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