[发明专利]编程效率增强的一次性可编程存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种一次性可编程OTP存储器件，包括多个单位单元，所述多个单位单元分别位于分别设置在多个行中的字线与分别设置在多个列中的位线的交叉点处，其中，所述多个单位单元中的每一个单位单元包括：

选择晶体管，其包括通过第一沟道区将彼此分开的漏极区和公共结区，以及设置在所述第一沟道区之上的选择栅极结构；以及

存储晶体管，其包括通过第二沟道区将彼此分开的源极区和公共结区，以及设置在所述第二沟道区之上的浮置栅极结构，

其中，所述漏极区耦接到所述位线中的任何一个位线，

其中，所述源极区耦接到公共源极线，以及

其中，所述源极区和所述浮置栅极结构之间的重叠区域在所述存储晶体管的沟道长度方向上的长度小于所述公共结区和所述浮置栅极结构之间的重叠区域在所述存储晶体管的沟道长度方向上的长度。

2.根据权利要求1所述的OTP存储器件，其中，所述选择晶体管和所述存储晶体管包括P沟道MOS晶体管结构。

3.根据权利要求1所述的OTP存储器件，其中，所述漏极区和所述公共结区包括P型杂质浓度，所述P型杂质浓度高于所述源极区的P型杂质浓度。

4.根据权利要求3所述的OTP存储器件，还包括N型阱区，所述N型阱区包围所述漏极区、所述公共结区和所述源极区所有的底表面和侧表面。

5.根据权利要求1所述的OTP存储器件，其中，所述公共结区和所述源极区中的每一个包括单结结构。

6.根据权利要求1所述的OTP存储器件，其中，所述源极区的结深度小于所述公共结区的结深度。

7.根据权利要求1所述的OTP存储器件，

其中，所述选择栅极结构包括设置在所述第一沟道区之上的第一栅极绝缘层和设置在所述第一栅极绝缘层之上并耦接到所述字线中的一个字线的选择栅极电极；以及

其中，所述浮置栅极结构包括设置在所述第二沟道区之上的第二栅极绝缘层和设置在所述第二栅极绝缘层之上的浮置栅极。

8.根据权利要求7所述的OTP存储器件，

其中，所述选择晶体管和所述存储晶体管包括P沟道MOS晶体管结构；以及

其中，如果所述字线中的一个字线和所述公共源极线被接地并且正编程电压被施加至所述位线中的一个位线，则所述OTP存储器件执行从所述多个单位单元中选中的一个单位单元的编程操作。

9.根据权利要求7所述的OTP存储器件，

其中，所述选择晶体管和所述存储晶体管包括P沟道MOS晶体管结构；以及

其中，如果所述字线中的一个字线和所述公共源极线被接地并且正读取电压被施加至所述位线中的一个位线，则所述OTP存储器件执行从所述多个单位单元中选中的一个单位单元的读取操作。