[发明专利]OLED显示屏及其制备方法在审
申请号: | 201910087672.3 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109860250A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开孔区域 蒸镀 制备 阴极 智能移动设备 发光功能膜 封装可靠性 薄膜封装 发光膜层 摄像模组 圆形孔 变窄 膜层 刘海 | ||
本发明揭露一种OLED显示屏及其制备方法,在整个发光膜层蒸镀过程中,显示区内的待开孔区域处始终不被蒸镀到任何发光功能膜层、阴极等膜层,从而提高薄膜封装在待开孔区域处的封装可靠性。且在显示区内对应摄像模组的位置开设一个圆形孔,从而使智能移动设备的“前额”进一步变窄,比刘海屏(Notch)设计方案更接近全面屏,可以实现更大的屏占比。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示屏及其制备方法。
背景技术
现有的智能手机在显示屏11外围包括较宽的上下左右边框(Border)12,如图1A所示。由于较宽的边框区的存在,导致手机整体的屏占比偏低,影响用户的使用体验效果。随着智能手机朝着全面屏的方向快速发展,屏占比要求越来越高,出现如刘海屏(Notch)设计方案,仅仅在手机的“前额”开设U形开孔13预留空间给前置摄像头,其余地方均为显示区域14,如图1B所示。
近年来OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术的快速发展,推动曲面和柔性显示触控产品迅速进入市场,相关领域技术更新也是日新月异。OLED是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的二极管。
OLED显示屏的发光(EL)器件膜层主要是利用开放掩膜板(Open Mask)采用蒸镀的方式来实现。然而现有的Open Mask为中间整面开孔的方式来限定蒸镀区域,因此,OLED显示屏的显示区(Active Area)内会蒸镀到诸如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)等发光功能膜层以及阴极(Cathode)、覆盖层(Capping Layer)、阳极修饰层(LiF)等金属/有机/无机膜层。
随着显示行业超窄边框和全面屏的市场需求增加,针对该需求的半导体封装技术也不断发展。目前,薄膜封装(Thin Film Encapsulation,以下简称TFE)是OLED显示屏的常用封装技术。然而,由于TFE的封装可靠性要求,在TFE层边缘下方不允许存在由于蒸镀的功能膜层,否则切割后,水汽、氧等会通过切割的断面的有机蒸镀膜层渗透进OLED显示屏内部,影响OLED显示屏封装的可靠性。
因此,如何确保OLED显示屏内开孔位置无EL功能膜层/阴极/TFE层等膜层,提高薄膜封装在OLED显示屏内开孔位置处的封装可靠性,成为亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种OLED显示屏及其制备方法,可以提高薄膜封装在OLED显示屏内开孔位置处的封装可靠性。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED显示屏的制备方法,包括如下步骤:提供一TFT阵列基板,所述TFT阵列基板上的显示区内具有待开孔区域;通过采用两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行拼接的方式,分别对所述TFT阵列基板进行蒸镀,以在所述待开孔区域之外的所述TFT阵列基板上形成有机发光器件的各膜层;对所述TFT阵列基板进行薄膜封装;对所述待开孔区域进行开孔。
为实现上述目的,本发明还提供了一种OLED显示屏,所述OLED显示屏采用本发明OLED显示屏制备方法制成。
本发明的优点在于:本发明OLED显示屏在整个发光膜层蒸镀过程中,显示区内的待开孔区域处始终不被蒸镀到任何发光功能膜层、阴极等膜层,从而提高薄膜封装在待开孔区域处的封装可靠性。且在显示区内对应摄像模组的位置开设一个圆形孔,从而使智能移动设备的“前额”进一步变窄,比刘海屏(Notch)设计方案更接近全面屏,可以实现更大的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的