[发明专利]OLED显示屏及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED显示屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上的显示区内具有待开孔区域；

通过采用两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行拼接的方式，分别对所述TFT阵列基板进行蒸镀，以在所述待开孔区域之外的所述TFT阵列基板上形成有机发光器件的各膜层；

对所述TFT阵列基板进行薄膜封装；

对所述待开孔区域进行开孔。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的通过采用两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行拼接的方式，分别对所述TFT阵列基板进行蒸镀，以在所述待开孔区域之外的所述TFT阵列基板上形成有机发光器件的各膜层，进一步包括：

采用精细金属掩膜板蒸镀所述有机发光器件的发光材料，其中，所述精细金属掩膜板在对应所述待开孔区域不开孔。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述拼接的边界位于所述OLED显示屏的像素电路的间隙位置处。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述拼接的方式包括：

采用横向两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行横向对半拼接；或

采用纵向两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行纵向拼接；或

采用在所述待开孔区域具有相同预设倾斜角度的两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行斜向拼接；

其中，定义所述OLED显示屏的宽度方向为横向，定义所述OLED显示屏的长度方向为纵向。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对所述TFT阵列基板进行薄膜封装，包括：

采用化学气相沉积掩膜板在所述OLED显示屏的显示区整面开孔并沉积无机膜层，并采用干法刻蚀的方式将所述待开孔区域的所述无机膜层除去；或

采用两个半边化学气相沉积掩膜板在所述待开孔区域进行拼接的方式，分别对所述TFT阵列基板进行无机膜层沉积，以完成对所述TFT阵列基板的薄膜封装并在所述待开孔区域无所述无机膜层沉积。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述拼接的边界位于所述OLED显示屏的像素电路的间隙位置处。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述拼接的方式包括：

采用横向两个半边化学气相沉积掩膜板在所述待开孔区域进行横向对半拼接；或

采用纵向两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行纵向拼接；或

采用在所述待开孔区域具有相同预设倾斜角度的两个半边开放掩膜板在所述待开孔区域进行斜向拼接；

其中，定义所述OLED显示屏的宽度方向为横向，定义所述OLED显示屏的长度方向为纵向。

8.一种OLED显示屏，其特征在于，所述OLED显示屏采用权利要求1-7中任一项所述的制备方法制成。

9.如权利要求8所述的OLED显示屏，其特征在于，所述开孔为圆形开孔。

10.如权利要求9所述的OLED显示屏，其特征在于，所述圆形开孔位置下方为摄像模组。