[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构和漏区之间的基底上，硅化物阻挡层还延伸至栅极结构中靠近漏区的侧壁和部分顶壁上；光吸收层，位于硅化物阻挡层上；介电层，位于栅极结构露出的基底上，且介电层覆盖栅极结构以及光吸收层；导电结构，位于介电层内，且导电结构的底端位于光吸收层中或者位于光吸收层上。光吸收层能够吸收光子中的能量，导电结构底部的第一类型电荷吸收能量降低的光子后，不易进入漂移区内，优化了半导体结构的电学性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在功率集成电路的发展中，为了将功率开关以及控制电路整合在一起而开发的单芯片制程，尤其是目前用于制作单片集成电路的横向二次扩散金属氧化物半导体(lateraldouble diffusion MOS，LDMOS)制程，为一主流趋势。LDMOS制程是于半导体基板的表面进行平面扩散(planar diffusion)以便形成横向的主要电流路径，由于LDMOS是以典型的IC制程所制造，因此控制电路与LDMOS可以整合在一个单片电源IC上，LDMOS制程采用表面电场缩减(reduced surface electric field，RESURE)技术与低厚度外延(BPI)或N型阱区(N-well)，可以达到高电压与低导通阻抗的目标。

LDMOS器件为近似于传统FET器件的一种场效应晶体管器件(FET)，皆包括在半导体衬底中形成一对被沟道区域所分隔开来的源/漏极区域，并且依次于沟道区域上方形成栅电极，然而，LDMOS器件与传统FET器件不同的是传统的FET器件中的一对源/漏极区域制成与栅电极相对称，而LDMOS器件中的漏极区域比源极区域更远离栅电极形成，并且漏极区域同时形成于用以分隔开沟道区域与漏极区域的掺杂阱(具有与漏极区域相同极性)中。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，优化半导体结构的电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于所述栅极结构和所述漏区之间的基底上，所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁和部分顶壁上；光吸收层，位于所述硅化物阻挡层上；介电层，位于所述栅极结构露出的基底上，且所述介电层还覆盖所述栅极结构以及光吸收层；导电结构，位于所述介电层内，且所述导电结构的底端位于所述光吸收层中或者位于所述光吸收层上。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在所述阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的阱区内形成源区；在所述栅极结构另一侧的漂移区内形成漏区；在所述栅极结构和所述漏区之间的基底上形成硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构中靠近所述漏区的侧壁和部分顶部上；在所述硅化物阻挡层上形成光吸收层；在所述栅极结构露出的基底上形成介电层，所述介电层还覆盖所述光吸收层以及栅极结构；在所述介电层中形成导电结构，且所述导电结构底端形成在所述光吸收层中或者所述光吸收层上。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：