[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910016147.2 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109873061B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;乔楠;刘旺平;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，其特征在于，
每个所述量子阱层均包括多层InxGa1-xN量子阱子层，多层量子阱子层中的In含量沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，每个所述量子垒层均包括多层掺Si的ByGa1-yN量子垒子层，多层量子垒子层中的B含量沿所述外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，0≤x≤1，0≤y≤1，多个所述量子垒层的厚度沿所述外延片的层叠方向逐层减小，多个所述量子垒层中的Si的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大；
所述量子垒层的层数比所述多量子阱层的层数多1，所述量子阱层的厚度为3～5nm。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱层包括n个量子阱层和n+1个量子垒层，5≤n≤8。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，每个所述量子阱层均包括a层InxGa1-xN量子阱子层，6≤a≤10。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，每个所述量子垒层均包括b层掺Si的ByGa1-yN量子垒子层，6≤b≤10。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，多个所述量子阱层的厚度均相等。
6.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层；
在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，每个所述量子阱层均包括多层InxGa1-xN量子阱子层，多层量子阱子层中的In含量沿外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，每个所述量子垒层均包括多层掺Si的ByGa1-yN量子垒子层，多层量子垒子层中的B含量沿所述外延片的层叠方向先逐层增大再逐层减小，0≤x≤1，0≤y≤1，多个所述量子垒层的厚度沿所述外延片的层叠方向逐层减小，多个所述量子垒层中的Si的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向先逐层减小再逐层增大，所述量子垒层的层数比所述多量子阱层的层数多1，所述量子阱层的厚度为3～5nm；
在所述多量子阱层上生长P型层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，多层所述量子阱子层的生长温度和生长压力均相等。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，多层所述量子垒子层的生长温度和生长压力均相等。
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