[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。本发明的阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括：形成抗静电单元和像素单元的步骤；形成所述抗静电单元的步骤包括：形成抗静电晶体管；形成所述像素单元的步骤包括：形成充电晶体管；其中，所述抗静电晶体管的有源层、源极和漏极，与所述充电晶体管的有源层、源极和漏极采用一次构图工艺形成；在形成所述抗静电晶体管的源极和漏极，与所述充电晶体管的源极和漏极的同时，还包括：在所述抗静电晶体管的源极和漏极之间形成辅助电极块的图形。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶面板在工作过程中随时可能因外界的各种原因而引入静电，一旦静电在面板内积累无法释放，则会对面板造成损伤，以至于显示性能降低甚至损坏。因此，在显示面板中设置抗静电单元极其重要。

为了解决大尺寸产品负载大，充电困难的问题，在设计上采用了窄沟道半透掩模板，将显示区充电三极管的尺寸尽可能的做小(沟道长度接近曝光精度)。而抗静电单元因为其功能需要，沟道长度仍旧是常规的设计(曝光精度的2～10倍左右)。在光学上，当曝光狭缝的大小接近曝光精度时，会造成曝光量的损失。因此显示区的曝光量小于抗静电单元区的曝光量，在曝光、显影、剥离之后，显示区的充电三极管沟道和抗静电单元区的抗静电三极管沟道处留下的光刻胶厚度存在差异。这样一来，在一次刻蚀过程中将会造成抗静电区中的抗静电晶体管的沟道被刻穿，导致抗静电晶体管失效。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种抗静电晶体管失效的阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括形成抗静电单元和像素单元的步骤；形成所述抗静电单元的步骤包括：形成抗静电晶体管；形成所述像素单元的步骤包括：形成充电晶体管；其中，所述抗静电晶体管的有源层、源极和漏极，与所述充电晶体管的有源层、源极和漏极采用一次构图工艺形成；在形成所述抗静电晶体管的源极和漏极，与所述充电晶体管的源极和漏极的同时，还包括：在所述抗静电晶体管的源极和漏极之间形成辅助电极块的图形。

优选的是，所述充电晶体管的有源层的沟道区包括U型沟道区；

在所述抗静电晶体管源极和漏极之间形成有一个辅助电极块，并限定出所述抗静电晶体管的有源层的沟道区的第一部分和第二部分；其中，

所述U型沟道区的宽度、所述抗静电晶体管的有源层的沟道区的第一部分和第二部分的宽度相同。

优选的是，所述阵列基板的制备方法还包括：

采用一次构图工艺形成包括抗静电晶体管的栅极和充电晶体管的栅极的图形。

优选的是，所述抗静电单元包括四个串接抗静电晶体管；所述四个串接抗静电晶体管分别为第一抗静电晶体管、第二抗静电晶体管、第三抗静电晶体管、第四抗静电晶体管；形成所述抗静电单元的步骤包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括所述第一抗静电晶体管、所述第二抗静电晶体管、所述第三抗静电晶体管、所述第四抗静电晶体管的栅极的图形；其中，所述第二抗静电晶体管、所述第三抗静电晶体管共栅极；

形成栅极绝缘层；

通过一次构图工艺形成包括第一抗静电晶体管、所述第二抗静电晶体管、所述第三抗静电晶体管、所述第四抗静电晶体管的有源层、源极、漏极，以及位于各抗静电晶体管的源极和漏极之间的所述辅助电极块的图形；其中，所述第一抗静电晶体管的源极和所述第二抗静电晶体管的源极为一体结构；所述第一抗静电晶体管的漏极和所述第二抗静电晶体管的漏极为一体结构；所述第三抗静电晶体管的源极和所述第四抗静电晶体管的源极为一体结构；所述第三抗静电晶体管的漏极和所述第四抗静电晶体管的漏极为一体结构；