[发明专利]封装结构及通信设备

说明书

本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，特别是涉及一种通信设备中的封装结构。

背景技术

随着无线通信技术的发展，通信设备中的封装结构需要提供良好的散热。以功率放大器为例，功率放大器的功率密度会越来越高，工作温度也会提升，因此功率放大器件大多采用热导率好的材料作为晶片与基板之间的粘接材料，如金锡合金，烧结银等。但是受到工作环境的影响，粘接材料中离子会发生迁移现象，迁移的离子与带电电极结合，会破坏带电电极，使得带电电极失效或短路，导致器件可靠性变差。如何抑制粘接材料中的离子迁移为业界持续研究的方向。

发明内容

本申请提供一种封装结构及通信设备，实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案。

第一方面，本申请提供了一种封装结构，该封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于晶片的外表面且位于粘接层和电极之间，以阻止带电粒子迁移至电极。

本申请通过在粘接层和电极之间设置第一屏蔽机构，第一屏蔽结构能够改变粘接层和电极之间的电场分布，从根源上阻断带电粒子的迁移，从而保护电极。这种设计方案没有对粘接层的材料做任何的元素或者化合物的添加，所以不用担心添加元素或者化合物的粘接层会因为使用过久而带来阻断失效的后果。

一种实施方式中，粘接层中的带电粒子为正离子，晶体表面的电极为负，第一屏蔽结构与封装结构中的零电位连接。通过将第一屏蔽结构与封装结构的零电位连接，屏蔽结构的电位为零，基板也是零电位，屏蔽结构和基板之间不存在电位差，粘接层中的带正电的粒子就不会从基板向屏蔽结构的方向运动，从而达到了抑制带电粒子向晶体表面迁移的效果。

一种实施方式中，晶片之背离粘接层的表面设有晶片接地元件，晶片接地单元的电位为零，第一屏蔽结构通过引线与晶片接地元件连接即完成了第一屏蔽结构与零电位的连接，引线与晶片接地单元共同形成了粘接层和电极之间的阻隔带。本实施方式通过引线连接晶片接地元件的方式构成第一屏蔽结构，从制作工艺的角度，易于实现，只要增加引线并通过引线将晶片接地元件电连接，引线和晶片接地元件共同构成阻隔带，阻隔带为零电位，屏蔽结构和基板之间不存在电位差，阻碍了带电粒子的迁移。

一种实施方式中，电极的数量为两个或两个以上，晶片接地元件的数量为多个，各电极间隔设置在相邻的晶片接地元件之间，第一屏蔽结构的引线电连接在相邻的两个晶片接地元件之间，引线和接地元件共同围设在电极的外围。通过在每个电极的两旁都设置电位为零的晶片接地元件，通过引线将与相邻的两个晶片接地元件电性连接，以构成第一屏蔽结构，实现了第一屏蔽结构的电位为零；另一方面也实现了第一屏蔽结构针对每一个电极的围设，即每一个带电电极附近都有一个与其对应的第一屏蔽结构对其进行围设，这种设计改变了每个带电电极与基板之间原有的电场分布，达到了阻断带电粒子迁移的效果。