[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序

说明书

具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至处理室内的气体供给系统和对处理室内的气氛进行排气的气体排气系统；气体排气系统具有与处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与共通排气配管连接且由不与所述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与所述第一排气配管连接的第一排气装置和与所述第二排气配管连接的第二排气装置。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行包括以下工序的基板处理：将含有过氧化氢(H₂O₂)的液体原料气化而生成气化气体的工序和对处理室内的基板供给该气化气体的工序(例如，参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2014/069826号

专利文献2:国际公开第2013/070343号

发明内容

发明要解决的课题

在使用包含H₂O₂等具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，如果经由由金属构成的排气配管对处理气体进行排气，则有时金属与化合物反应而腐蚀排气配管，或者与化合物反应后的金属成分附着在处理室内的基板上而产生金属污染。另一方面，如果使用由与这样的化合物的反应性低的树脂等材料构成的排气配管，有时无法确保在提高排气的真空度(降低排气管内的压力)时所要求的排气配管的耐压性能、耐气体透过性能。

本发明的目的在于提供即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体来作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域内实现排气的技术。

解决课题的方法

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至上述处理室内的气体供给系统和对上述处理室内的气氛进行排气的气体排气系统；上述气体排气系统具有与上述处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与上述共通排气配管连接且由不与上述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与上述共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与上述第一排气配管连接的第一排气装置和与上述第二排气配管连接的第二排气装置。

发明效果

根据本发明，即使在使用含有具有与金属高反应性的化合物的气体作为处理气体时，也能够在大范围的压力区域实现排气。

附图说明

[图1]是本发明的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

[图2]是本发明的一个实施方式中适合使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制系统的图。

[图3]是显示事前处理工序的一例的流程图。

[图4]是显示在事前处理工序后实施的基板处理工序的一例的流程图。

具体实施方式

＜本发明的一个实施方式＞

以下，对于本发明的一个实施方式，使用图1～图4进行说明。

(1)基板处理装置的构成