[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.衬底处理方法，其包括下述工序：

蚀刻液制备工序，通过将有机碱、氧化剂与水混合，从而制备包含有机碱、氧化剂和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液；和

选择蚀刻工序，将所述蚀刻液制备工序中制备的所述蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制所述氧化硅膜的蚀刻的同时对所述多晶硅膜进行蚀刻。

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述蚀刻液制备工序为制备由所述有机碱、所述氧化剂和所述水形成的碱性液体的工序。

3.如权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中，所述衬底包含：

层叠膜，其包含以所述多晶硅膜与所述氧化硅膜相互交替的方式在所述衬底的厚度方向上层叠的多张所述多晶硅膜和多张所述氧化硅膜；和

凹部，其从所述衬底的最外表面沿所述衬底的厚度方向凹入，并将所述多张多晶硅膜和所述多张氧化硅膜贯通，

所述选择蚀刻工序包括至少向所述凹部内供给所述蚀刻液的工序。

4.如权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在所述选择蚀刻工序之前，还包括向所述衬底供给氧化膜除去液从而将所述多晶硅膜的自然氧化膜除去的自然氧化膜除去工序。

5.如权利要求1～4中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述多晶硅膜为通过执行下述多个工序而得到的薄膜，所述多个工序包括：使多晶硅堆积的堆积工序；以及，对所述堆积工序中堆积的所述多晶硅进行加热的热处理工序。

6.如权利要求1～5中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述蚀刻液制备工序包括使所述蚀刻液的溶解氧浓度降低的溶解氧浓度变更工序。

7.如权利要求1～6中任一项所述的衬底处理方法，其还包括使与保持于所述衬底的所述蚀刻液接触的气氛中的氧浓度降低的气氛氧浓度变更工序。

8.如权利要求1～7中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述蚀刻液制备工序包括对所述蚀刻液中的所述氧化剂的浓度进行变更的氧化剂浓度变更工序。

9.衬底处理装置，其具备：

衬底保持单元，其对露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底进行保持；

蚀刻液制备单元，其通过将有机碱、氧化剂与水混合，从而制备包含有机碱、氧化剂和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液；

蚀刻液供给单元，其将通过所述蚀刻液制备单元制备的所述蚀刻液供给至保持于所述衬底保持单元的所述衬底；和

控制装置，其对所述蚀刻液制备单元及蚀刻液供给单元进行控制，

所述控制装置执行下述工序：

蚀刻液制备工序，使所述蚀刻液制备单元制备所述蚀刻液；和

选择蚀刻工序，使所述蚀刻液供给单元将所述蚀刻液供给至所述衬底，在抑制所述氧化硅膜的蚀刻的同时对所述多晶硅膜进行蚀刻。

10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述蚀刻液制备单元为制备由所述有机碱、所述氧化剂和所述水形成的碱性液体的单元。

11.如权利要求9或10所述的衬底处理装置，其中，所述衬底包含：

层叠膜，其包含以所述多晶硅膜与所述氧化硅膜相互交替的方式在所述衬底的厚度方向上层叠的多张所述多晶硅膜和多张所述氧化硅膜；和

凹部，其从所述衬底的最外表面沿所述衬底的厚度方向凹入，并将所述多张多晶硅膜和所述多张氧化硅膜贯通，

所述蚀刻液供给单元包含至少向所述凹部内供给所述蚀刻液的单元。

12.如权利要求9～11中任一项所述的衬底处理装置，其中，所述衬底处理装置还具备氧化膜除去液供给单元，所述氧化膜除去液供给单元将氧化膜除去液供给至保持于所述衬底保持单元的所述衬底，

所述控制装置还执行自然氧化膜除去工序：在所述选择蚀刻工序之前，使所述氧化膜除去液供给单元将所述氧化膜除去液供给至所述衬底，从而将所述多晶硅膜的自然氧化膜除去。