[发明专利]钌的选择性原子层沉积

权利要求书

1.一种选择性沉积方法，包含以下步骤：

提供基板，所述基板包含导电材料及绝缘材料，所述导电材料具有第一表面，而所述绝缘材料具有第二表面；

将所述基板控制在预定温度下；

将所述基板暴露于钌前驱物以在所述基板上形成含钌化合物；以及

将所述基板暴露于与所述含钌化合物反应的反应物，所述反应物包含以下一或多种：O₂、H₂或H₂O，

其中当所述预定温度为大于或等于250℃时，钌选择性地沉积在所述第一表面上更甚于所述第二表面，且当所述预定温度为小于或等于200℃时，钌选择性地沉积在所述第二表面上更甚于所述第一表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料包含：金属、金属氮化物、金属氧化物或前述材料的组合。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述导电材料包含以下一或多种：Cu、Co、W、Ta、Ti或前述材料的氧化物、氮化物或氧氮化物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包含硅。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述绝缘材料包含以下一或多种：SiO₂、SiN或高电阻Si。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料基本上由W组成，且所述绝缘材料基本上由SiO₂组成。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料基本上由TiN组成，且所述绝缘材料基本上由SiN组成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述钌前驱物包含至少一个环戊二烯基配体或环戊二烯基配体的衍生物。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述钌前驱物基本上由Ru(Cp)₂或Ru(EtCp)₂组成。

10.如权利要求1所述的方法，其中钌选择性地沉积在所述第二表面上更甚于所述第一表面，且所述基板被维持在25℃至200℃的范围内的温度下。

11.如权利要求1所述的方法，其中钌选择性地沉积在所述第一表面上更甚于所述第二表面，且所述基板被维持在250℃至500℃的范围内的温度下。

12.如权利要求1所述的方法，其中以大于或等于5的选择率沉积钌。

13.一种选择性沉积方法，包含以下步骤：

提供基板，所述基板包含导电材料及绝缘材料，所述导电材料具有第一表面，而所述绝缘材料具有第二表面；

将所述基板暴露于钌前驱物以在所述基板上形成含钌化合物；以及

将所述基板暴露于与所述含钌化合物反应的反应物，所述反应物包含以下一或多种：O₂、H₂或H₂O，

其中将所述基板维持在小于或等于200℃的温度下，且钌选择性地沉积在所述第二表面上更甚于所述第一表面。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述导电材料包含以下一或多种：Cu、Co、W、Ta、Ti或前述材料的氧化物或氮化物。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述绝缘材料包含以下一或多种：SiO₂、SiN或高电阻Si。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述导电材料基本上由W组成，且所述绝缘材料基本上由SiO₂组成。