[发明专利]对于旋转晶片的处理模块的处理站的自动更正

说明书

一种用于校正的方法包括：测定处理模块的基座在用于处理的温度条件下因温度导致的偏移的方法。该方法包括：通过机械手将晶片传送至所述处理模块的所述基座，并检测移入偏移值。该方法包括：使所述基座上的所述晶片旋转一定角度。该方法包括：通过所述机械手，将所述晶片从所述基座移开，并测量移出偏移值。该方法包括：利用所述移入偏移值和所述移出偏移值，测定所述温度导致的偏移的幅值和方向。

技术领域

本发明的实施方案涉及机械手，尤其是用于晶片处理系统中的机械手。

背景技术

在半导体处理系统中，机械手用于将晶片从一位置移到另一位置。例如，可采用一或更多个机械手，以从装载端口中的晶片匣(wafer cassette)拾取晶片，将晶片移至装载锁(load lock)、将晶片移至一或更多中间位置(如输送模块)、并将晶片移至处理模块或反应器以进行晶片处理。

为准确放置并拾取晶片，机械手需知道晶片处理系统中各个位置的坐标。在机械手安装于晶片处理系统中后，可在设定过程中，将坐标编程至相应的机械手中。依照这种方式，机械手所使用的传递(如拾取及放置)位置便是已知的。例如，机械手可用于将晶片从输送模块传送至处理模块，如基座中心。一般而言，技术人员或现场服务工程师是在处理模块呈冷状态时执行设定处理。然而，一旦处理模块处于真空下或升温至较高温时，处理模块内特定位置(如基座的中心)的坐标可能已移动。因此，期望能够在处理条件期间将晶片准确地放置在特定位置，以减少晶片处理期间引起的误差，并实现半导体装置和/或集成电路的小型封装设计(small form factor)。

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

就是在该背景下提出了本公开。

发明内容

本发明的实施方案涉及解决相关技术所发现的一或更多问题，尤其涉及测量处于条件下的处理模块内的特定位置的偏移，如与装置相关联的位置的偏移。

本公开的实施方案包括用于校正的方法，该方法包括：测定处理模块的基座在用于处理的温度条件下因温度导致的偏移的方法。该方法包括：通过机械手将晶片传送至所述处理模块的所述基座，并检测移入偏移值。该方法包括：使所述基座上的所述晶片旋转一定角度。该方法包括：通过所述机械手，将所述晶片从所述基座移开，并测量移出偏移值。该方法包括：利用所述移入偏移值和所述移出偏移值，测定所述温度导致的偏移的幅值和方向。

本公开的实施方案包括用于校正的方法。该方法包括：根据处理模块内的旋转装置的旋转轴的初始校正位置，建立参考坐标系统。该方法包括：施加条件至所述处理模块。该方法包括：使用输送模块(TM)机械手，从入站装载锁拾取校准晶片，所述输送模块(TM)机械手被配置成用于将所述校准晶片输送至所述处理模块。该方法包括：当将所述校准晶片输送至所述处理模块时，使用测量装置来测定所述校准晶片的在所述参考坐标系统内的第一测量值，所述测量装置固定在所述参考坐标系统内。该方法包括：使用所述TM机械手将所述校准晶片传递至所述处理模块。该方法包括：将所述校准晶片与所述旋转装置对接(interface)。该方法包括：使用所述旋转装置使所述校准晶片旋转一定角度。该方法包括：使用所述TM机械手，将所述校准晶片移出所述处理模块。该方法包括：当将所述校准晶片输送至出站装载锁时，使用所述测量装置，测定所述校准晶片的在所述参考坐标系统内的第二测量值。该方法包括：根据所述第一测量值和所述第二测量值，测定所述旋转轴的条件校正量，所述条件校正量对应于当所述处理模块处于所述条件下时，所述旋转轴偏离所述初始校正位置的偏移。