[发明专利]对于旋转晶片的处理模块的处理站的自动更正

权利要求书

1.一种测定处理模块的基座在用于处理的温度条件下因温度导致的偏移的方法，其包括：

通过机械手将晶片传送至所述处理模块的所述基座，并检测移入偏移值；

使所述基座上的所述晶片旋转一定角度；

通过所述机械手，将所述晶片从所述基座移开，并测量移出偏移值；以及

利用所述移入偏移值和所述移出偏移值，测定所述温度导致的偏移的幅值和方向。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

根据所述处理模块内的所述基座的初始校正位置，在参考坐标系统内定义出校正参考测量值，

其中所述移入偏移值从所述校正参考测量值测得，且

其中所述移出偏移值从所述校正参考测量值测得。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

其中检测移入偏移值包括：使用固定于所述参考坐标系统内的测量装置测定所述晶片的在所述参考坐标系统内的第一测量值；且

其中检测所述移出偏移值包括：使用所述测量装置测定所述晶片的在所述参考坐标系统内的第二测量值。

4.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

当未施加条件至所述处理模块时，将所述机械手校正至对应于所述基座的中心的初始校正位置，所述参考坐标系统是基于所述初始校正位置；

将校准晶片放置于所述基座的所述中心；

利用所述机械手将所述校准晶片从所述基座移开；以及

使用固定于所述参考坐标系统内的测量装置，在所述参考坐标系统内定义出所述校准晶片的所述校正参考测量值，所述校正参考测量值对准所述初始校正位置。

5.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

根据所述温度导致的偏移，测定所述基座的所述中心的温度校正量，所述温度导致的偏移对应于当所述处理模块处于所述温度时，所述基座的所述中心偏离所述初始校正位置的所述偏移。

6.根据权利要求5所述的方法，其中测定所述温度校正量包括：

测定所述移入偏移值与所述移出偏移值之间的差异向量；以及

将所述差异向量的幅值减半，以测定所述基座的所述中心偏离所述初始校正位置的所述温度导致的偏移，其中所述温度导致的偏移对应于所述温度校正量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中旋转所述晶片包括：

将所述晶片放置于升降垫上，所述升降垫被配置成用于与所述基座分开并相对于所述基座旋转；

沿着旋转轴，将所述升降垫与所述基座分开；以及

使所述升降垫在定义所述角度的至少第一角度方位与第二角度方位之间相对于所述基座旋转。

8.一种校正方法，其包括：

根据处理模块内的旋转装置的旋转轴的初始校正位置，建立参考坐标系统；

施加条件至所述处理模块；

使用输送模块(TM)机械手，从入站装载锁拾取校准晶片，所述输送模块(TM)机械手被配置成用于将所述校准晶片输送至所述处理模块；

当将所述校准晶片输送至所述处理模块时，使用测量装置来测定所述校准晶片的在所述参考坐标系统内的第一测量值，所述测量装置固定在所述参考坐标系统内；

将所述校准晶片传递至所述处理模块；

将所述校准晶片与所述旋转装置对接；

使用所述旋转装置使所述校准晶片旋转一定角度；

使用所述TM机械手，将所述校准晶片移出所述处理模块；

当将所述校准晶片输送至出站装载锁时，使用所述测量装置，测定所述校准晶片的在所述参考坐标系统内的第二测量值；以及

根据所述第一测量值和所述第二测量值，测定所述旋转轴的条件校正量，所述条件校正量对应于当所述处理模块处于所述条件下时，所述旋转轴偏离所述初始校正位置的偏移。