[发明专利]使用于晶粒封装的防翘曲用的PTFE片以及晶粒封装方法

说明书

本发明是一种对直径为1μm以下的PTFE纤维进行纺织而成的PTFE片(44)，PTFE片中，哥雷值为1～3的范围，加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下，当将晶粒(100)封装至被封装体(110)时夹于对晶粒(100)进行加热的工具(22)与所述晶粒(100)之间而可利用工具(22)来吸附晶粒(100)，并且抑制将晶粒(100)固定于被封装体(110)的粘接构件(114)附着在工具(22)的吸附面(24)或晶粒(100)。由此，提供一种可实现真空吸附的稳定化及维护性的改善的PTFE片及晶粒封装方法。

技术领域

本发明涉及一种使用于晶粒封装的防翘曲用的聚四氟乙烯片及晶粒封装方法。

背景技术

已知有通过真空吸附来拾取通过切割而单片化的多个晶粒(die)的技术(参照专利文献1～专利文献3)。例如，在专利文献2中，已公开对在端子上设置有凸块的裸芯片(bare chip)，在与包含所述端子及凸块的裸芯片的电路功能面为相反的面侧进行真空吸附。真空吸附于工具的裸芯片是在使电路功能面与基板相向的方向上，搭载在涂布有粘接剂的基板上。在专利文献2的发明中，为了防止通过真空吸附或工具的加压等而使基板上的粘接剂自裸芯片的侧面向上方翘曲，采用使片介于工具的吸附面与裸芯片之间的结构，由此，抑制粘接剂的翘曲，防止粘接剂附着在工具。此外，在专利文献3中，记载有一种经由具有透气性的多孔胶带(tape)而吸附半导体芯片的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-66625号公报

专利文献2：日本专利第5669137号公报

专利文献3：日本专利特开平3-201458号公报

发明内容

发明所要解决的问题

此处，专利文献2的发明是以在电路功能面上真空吸附裸芯片为前提，对于在形成有凸块电极的凸块形成面侧进行真空吸附则未作任何考虑。关于这一点，在凸块形成面上，通过凸块电极而设置有凹凸，因此当使工具真空吸附晶粒时，可能因凸块电极的突起高度而在工具吸附面与晶粒之间产生空隙。因此，当真空吸附有晶粒时，通过产生空气的泄漏，真空度下降，而存在工具的吸附性变差的情况。

另外，当将晶粒经由粘接材料而封装至基板时，有时会自粘接材料产生烟气(fumegas)，所述烟气自因凸块电极的突起高度而产生的空隙流入，使工具等受到污染。因此，必须频繁地清洗工具等，存在维护性变差的情况。

此外，在专利文献3中，记载有一种使用海绵、纸、合成橡胶等作为多孔胶带的材料，但是这些材料由于不耐热而会产生收缩、熔融、变形，因此不适合于利用工具来将晶粒加热至250℃以上而封装至基板的工艺(process)。

本发明是鉴于如上所述的情况而完成的，目的在于提供一种能够实现真空吸附的稳定化及维护性的改善的防翘曲用的片。

解决问题的技术手段

[1]一种PTFE片，对直径为1μm以下的PTFE纤维进行纺织而成，PTFE片中，哥雷(Gurley)值为1～3的范围，加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下，当将晶粒封装至被封装体时夹于进行晶粒加热的工具与所述晶粒之间而可利用工具来吸附晶粒，并且抑制将晶粒固定于被封装体的粘接构件附着在所述工具的吸附面或所述晶粒。

[2]根据[1]所述的PTFE片，其中PTFE片具有晶粒的凸块形成面上的凸块电极的突起高度以上的厚度，可吸附晶粒的凸块形成面。

[3]根据[1]所述的PTFE片，其中PTFE片包含比凸块电极或吸附面更柔软的材质。